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고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조

  • 기술번호 : KST2015075368
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조에 관한 것으로서, 종래 기술의 InGaAs 다중 양자우물 구조에서는 광출력 특성이 좋지 않았던 문제점을 해결하기 위해 (InAs)m(GaAs)m 단주기 초격자 박막구조를 활성층의 양자우물로 사용한 활성층을 제공함으로써 내부 스트레인이 종래의 방법에 비해 수 %로 매우 크며 초격자 박막의 구조적 특성으로부터 소자의 광학적 특성, 특히 고출력 특성이 향상될 수가 있는 것이다.
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/34306(2013.01) H01S 5/34306(2013.01) H01S 5/34306(2013.01)
출원번호/일자 1019950041335 (1995.11.14)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0241326-0000 (1999.11.03)
공개번호/일자 10-1997-0031122 (1997.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.11.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오대곤 대한민국 대전광역시 유성구
2 주흥로 대한민국 대전광역시 유성구
3 김홍만 대한민국 대전광역시 유성구
4 편광의 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163863-14
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163865-05
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.11.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163864-59
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163866-40
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163867-96
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.05.01 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163868-31
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0086684-91
8 의견서
Written Opinion		 1998.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0163869-87
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.08.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0163870-23
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0086685-36
11 심사전치출원의 심사결과보고서
Notice of Result of Reexamination		 1999.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-1999-0000142-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 등록사정서
Decision to grant		 1999.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0282301-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n+-InP 기판 위에 p-InP 전류차단층, n-InP 전류차단층, p-InP 클래드층이 형성되고, InGaAsP 광도파층으로 둘러쌓이고 전류의 퍼짐을 방지하기 위해 매립되는 활성층으로 구성된 고출력 반도체 레이저에 있어서, 상기 활성층은 양자 우물층인 (InAs)m(GaAs)m 단주기 초격자 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조

2 2

제1항에 있어서, 상기 활성층은 (InAs)m(GaAs)n (m,n〈6) 단주기 초격자 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조

3 3

제1항에 있어서, 상기 활성층은 수 %이상의 격자부정합도를 가지는 이종접합구조가 스트레인 보상에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저에서의 활성층 구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.