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수직성분과 수평성분의 분광특성을 지닌 레이저를 출력하는 레이저 발생실(31)과, 전기한 출력광을 분리하기 위한 편광 광분할기(24)와, 전기한 편광 광분할기(24)에 의해 분리되어 반사된 출력광을 선편광시키기 위한 선편광자(33)와, 전기한 선편광자로부터 레이저의 기준신호로 사용되는 비트 주파수 신호를 감지하기 위한 위상감지기(34)로 이루어진 레이저(17); 전기한 광분할기(24)를 통과된 출력광의 분할시키기 위한 편광 광분할기(18)와, 전기한 편광 광분할기(18)에 의해 반사된 광을 원편광시키기 위한 λ/4판(22)과, 전기한 원편광된 광을 반사하기 위한 반사경(23); 상기한 편광 광분할기(18)를 통과한 광을 원편광시키기 λ/4판(19)과, 반도체 공정장비의 석영창(16a)을 통해 웨이퍼(6) 상의 여러지점에서 금속박막의 두께 변화를 감지할 수도 있도록 전기한 광의 경로를 변경하기 위한 이동 경사조절 반사경(20)과, 웨이퍼(6) 상의 금속박막에 의해 반도체 공정장비의 석영창(16b)을 통해 반사된 광을 입사경로로 다시 반사시키기 위한 경사반사경(21); 상기한 경사반사경(21)의 반사에 의해 광경로를 되돌아와 편광프리즘(18)에서 반사된 광을 선편광시키기 위한 선편광자(25)와, 전기한 선편광자(25)를 통과한 웨이퍼 상의 금속박막의 두께변화(44)에 대한 정보가 포함된 신호를 감지하기 위한 위상감지기(26); 상기한 위상감지기(26,34)에 의해 감지된 금속박막의 두께변화(44)에 대한 신호와 레이저 자체에서 출력된 기준신호와의 위상차를 비교하고 금속박막의 두께변화를 산출하는 위상비교기(29); 및, 상기한 위상비교기(29)에 의해 산출된 두께변화가 공정전에 입력된 원하는 최종두께에 도달하는 경우 반도체 제조공정이 종료되도록 신호를 송출하는 장비제어기(30)를 포함하는 반도체 공정장비용 비접촉식 실시간 금속박막 두께 측정장치
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상호직각의 편광성분을 포함하는 레이저(17)에서 발생된 빔을 편광 광분할기(24)를 거쳐 편광 광분할기(18), λ/4판(19)과 경사조절 반사경(20)을 지나 석영창(16a)을 통하여 웨이퍼(6) 표면에 입사하고, 반대편 석영창(16b)을 지나 경사반사경(21)에 반사시키는 단계; 전기한 단계에 의해 반사되어 되돌아온 광과 편광 광분할기(18)를 통과하여 λ/4판(22)을 지나 반사경(23)에서 반사된 빔을 편광 광분할기(24)를 지나 선편광자(25)에 의해 합성된 후 만들어진 비트신호를 위상감지기(26)에서 검출하는 단계; 및, 상기한 과정에 의해 검출된 금속박막의 두께변화가 포함된 신호(27)와 레이저에서 방출된 기준신호(28)를 위상비교기(29)에서 비교하여 위상차에 의해 계산된 두께변화에 대한 신호를 장비제어기(30)로 보내는 단계를 포함하는 광학 헤테로다인 감지방법에 의한 반도체 공정장비용 비접촉식 실시간 금속박막 두께 측정방법
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