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고출력 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075434
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기존의 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은띠에 의한 광출력의 방사 중심축 굴절 현상을 없앤 이온 주입 공정을 이용한 0.98㎛ 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠의 제거는 반도체 레이저의 공진기를 따라 주기적으로 이득 변화를 주면 된다. 즉, 공진기 내에서의 밝은 띠 발생의 원인인 이득 분포를 다른 형태로 바꿈으로써 가능하게된다. 본 발명에서는 활성층 위에 이온주입 공정을 통한 절연층을 형성시켜 활성층으로 주입되는 전하 밀도를 조절함으로써 공진기 길이 방향으로서의 빛의 불균형 분포를 상쇄시키는 방법에 관하여 기술하였다.
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960062713 (1996.12.07)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0226434-0000 (1999.07.27)
공개번호/일자 10-1998-0044611 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (19991015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
2 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
3 조호성 대한민국 부산광역시 동래구
4 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209560-87
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209562-78
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209561-22
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209563-13
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209564-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5109361-27
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0168822-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

이온주입된 영역에 의해 활성층 길이 방향으로의 이득이 이온주입된 주기와 동일주기로 변조되도록 하기 위해, 1차 결정성장을 하기 위해 화합물 반도체 기판위에 GaAs와 GaInP층과의 밴드갭 차이에 따른 전류의 흐름의 방해를 막기 위해 순차로 형성된 제 1 완충층, 제 1 클래드층, 제 2 완충층, 활성층, 제 3 완충층 및 제 2 클래드층과 ; 상기 제 2 클래드층에 부분적으로 형성한 이온주입 영역을 열처리하기 위해 소자의 표면 및 뒷면에 절연층을 형성시킨 다음 고온에서 열처리를 수행하여 이온주입 영역이 전기적으로 고립되도록 하고, 상기 이온 주입후 열처리한 제 2 클래드층 위에 2차 결정성장을 통해 순차로 형성된 제 3 클래드층, 제 4 완충층 및 음 접촉층과; 상기 활서층이 소정 폭을 유지하도록 상기 음 접촉층 위에 형성하는 제 2 절연막을 마스크로하여 상기 제 3 완충층 위까지 식각된 리지부분 및 채널부분과 ; 상기 리지부분 상단 일부에 전류 주입구를 형성시키기 위한 제 3 절연막과 ; 상기 제 3 절연막 전면에 형성되는 제 1 도전형 전극과 ; 기판 밑면에 형성된 제 2 도전형 전극을 구비한 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 구조

2 2

제1항에 있어서, 상기 이온주입의 깊이는 상기 활성층의 손실 증가를 막기 위해 활성층위까지, 이온주입 영역의 모양은 공진기 길이 방향으로 10㎛ 의 길이와 상기 활성층보다 약간 넓은 폭을 갖는 직사각형 막대가 수평방향으로 5∼20㎛ 간격으로 연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 구조

3 3

제1항에 있어서, 상기 이온은 B, Ar, Si, He 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 구조

4 4

이온주입된 영역에 의해 활성층 길이 방향으로의 이득이 이온주입된 주기와 동일 주기로 변조되도록 하기 위해, 1차 결정성장을 하기 위해, 1차 결정성장을 하기 위해 화합물 반도체 기판위에 GaAs와 GaInP층과의 밴드갭 차이에 따른 전류의 흐름의 방해를 막기 위해 제 1 완충층, 제 1 클래드층, 제 2 완충층, 활성층, 제 3 완충층 및 제 2 클래드층을 형성하는 제 1 공정과 ; 상기 제 2 클래드층에 제 1 절연막을 입힌 다음 사진식각 공정에 의해 공진기 길이방향으로 소정 길이와 상기 활성층 보다 약간 넓은 폭을 갖는 모양을 일정 간격으로 연속적으로 형성하는 제 2 공정과 ; 상기 제 1 절연막위에 포토레지스트를 형성한 마스크를 이용하여 이온을 주입시켜 이온주입된 영역을 형성한 후 그 이온주입된 영역을 절연시키기 위해 절연막과 포토레지스트를 제거시키고 소자의 표면 및 뒷면에 절연막을 입힌 후 열처리하는 제 3 공정과 ; 상기 이온주입 후 열처리된 제 2 클래드층 위에 유기금속 기상 결정성장 장비를 이용하여 2차 결정성장을 통해 제 3 클래드층, 제 4 완충층 및 음 접촉층을 순차로 형성하는 제 4 공정과 ; 상기 음 접촉층위에 제 2 절연막을 형성한 후, 제 2 절연막을 활성층의 폭이 소정 두께로 유지하도록 사진식각공정을 통하여 남기고, 이를 마스크로하여 식각에 의해 상기 제 3 완충층 위까지 식각하여 리지부분과 채널부분을 형성하는 제 5 공정과 ; 상기 리지부분에 전류를 주입시키기 위하여 상기 제 2 절연막을 제거한 다음 식각된 리지 전면에 절연막을 입히고 리지 상단에 전류 주입구를 형성시킨 다음 p 측 전극 및 상기 기판 하부면을 연마하여 n 측 전극을 형성하는 제 6 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조방법

5 5

제4항에 있어서, 상기 제 3 공정은 절연막으로 Si3N4를 입힌 다음 600∼950℃에서 수초간 열처리시키는 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조방법

6 6

제4항에 있어서, 상기 제 6 공정은 상기 p 측 전극을 고전류에 견디도록 도금공정을 통하여 2∼3㎛ 두께로 형성시키는 것을 특징으로 한 고출력 반도체 레이저 제조방법

7 7

제4항에 있어서, 상기 이온 주입 영역을 일정 비율로 조정하는 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조방법

8 8

제4항에 있어서, GaAs와 InP기판으로 제작되는 모든 반도체 레이저에서 적용하기위해 상기 활성층위 클래드층에 이온주입을 부분적으로하여 활성층 길이 방향으로의 이득이 이온주입된 주기와 동일주기로 변조되도록 하는 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 제조방법

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1 JP10173287 JP 일본 FAMILY
2 US06028876 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10173287 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH10173287 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US6028876 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.