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다층 아몰퍼스 실리콘을 갖는 국부산화막 격리제조방법

  • 기술번호 : KST2015075448
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층 아몰퍼스 실리콘을 갖는 국부산화막(LOCOS) 격리 제조방법에 관한 것으로서, 종래 기술에서 단일층의 폴리실리콘을 버퍼층으로 사용하는 PBL(Polysilicon Buffered LOCOS) 제조방법이 필드산화막 영역과 활성영역사이의 경계가 깨끗하지 않았던 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 다층의 아몰퍼스 실리콘을 버퍼층으로 사용하여 필드산화막 형성시 경계의 상대적인 산화증가 효과를 줄임으로써 깨끗한 활성영역을 형성하기 위한 것이다.
Int. CL H01L 21/76 (2006.01)
CPC H01L 21/76202(2013.01) H01L 21/76202(2013.01) H01L 21/76202(2013.01)
출원번호/일자 1019960014850 (1996.05.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0176102-0000 (1998.11.12)
공개번호/일자 10-1997-0077481 (1997.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (19990415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.05.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종호 대한민국 대전광역시 서구
2 유종선 대한민국 대전광역시 유성구
3 김보우 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0059283-15
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0059282-69
3 특허출원서
Patent Application		 1996.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0059281-13
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0059284-50
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0059285-06
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0059286-41
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0431573-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 위에 열산화막을 성장하고, 그 위에 그레인 경계의 상대적인 산화증가를 줄여 깨끗한 경계를 가진 활성영역을 형성하기 위한 다층의 아몰퍼스 실리콘층과 이 위에 질화막을 소정 패턴으로 식각하여 형성하는 제1공정과, 상기 제1공정의 질화막 및 다층의 아몰퍼스 실리콘층을 식각에 의해 필드산화막을 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정의 질화막 및 다층의 아몰퍼스 실리콘층을 식각에 의해 제거하는 제3공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 아몰퍼스 실리콘을 갖는 국부산화막(LOCOS) 격리 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1공정에서 다층의 아몰퍼스 실리콘층은 2 내지 5층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 아몰퍼스 실리콘을 갖는 국부산화막(LOCOS) 격리 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1공정에서 다층의 아몰퍼스 실리콘의 각 층 두께는 10nm 내지 60nm 사이로 형성하는 것을 특징으로 다층 아몰퍼스 실리콘을 갖는 국부산화막(LOCOS) 격리 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 제1공정의 활성영역은 상기 질화막과 다층의 아몰퍼스 실리콘층을 사진식각공정에 의해 정의하는 것을 특징으로 하는 다층 아몰퍼스 실리콘을 갖는 국부산화막(LOCOS) 격리 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 제1공정에서 다층의 아몰퍼스 실리콘층은 2층으로 형성할 경우 아래층의 아몰퍼스 실리콘의 두께는 두껍게 형성하고, 윗층의 아몰퍼스 실리콘의 두께는 상기 아래층의 아몰퍼스 실리콘의 두께보다 상대적으로 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 다층 아몰퍼스 실리콘을 갖는 국부산화막(LOCOS) 격리 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.