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제1 불순물이 도핑된 제1 웨이퍼 상에 제1 절연막을 형성하고, 그 상부에 활성층을 형성하기 위한 제1 불순물이 도핑된 소정 두께의 제2 웨이퍼를 형성하는 단계; 상기 제2 웨이퍼 상에 소정의 선택적 이온주입을 실시하여 제1 불순물이 도핑된 표류영역 및 제2 불순물이 도핑된 채널영역을 형성하고, 상기 채널영역 상에 고농도의 제1 불순물로 도핑된 소오스를 형성하는 단계; 상기 제2 웨이퍼를 선택적 식각하여 소자의 분리와 수직 게이트 형성을 위한 다수의 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치 내부에 소자의 분리를 위한 제2 절연막을 형성하는 단계; 상기 수직 게이트 형성을 위한 다수의 트렌치 내부에 형성된 상기 제2 절연막을 제거하고, 열산화를 실시하여 다수의 수직 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 트렌치 내부에 제1 전도막을 매립하여 다수의 수직 게이트 전극을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 수평 게이트 절연막을 형성하고, 그 상부에 제2 전도막을 형성한 다음, 이를 패터닝하여 수평 게이트 전극을 형성하는 단계; 고농도의 제1 불순물을 선택적 이온주입하여 상기 표류영역 상에 드레인을 형성하고, 고농도의 제2 불순물을 선택적 이온주입하여 상기 채널영역 상에 소오스의 일측에 접하는 채널영역 연결층을 형성하는 단계, 및 전체구조 상부에 제3 절연막을 형성하고, 상기 소오스, 상기 드레인 및 상기 수평 게이트 전극에 각각 접촉 연결단자를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 고압 소자 제조 방법
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