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기판, 상기 기판 위에 적층된 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 적층된 도핑하지 않은 광흡수층, 상기 광흡수층 위에 한 층 또는 여러 층으로 적층된 그레이딩층, 상기 그레이딩층 위에 적층된 전기장 완층층, 상기 전기장 완층층 위에 적층된 도핑하지 않은 증폭층, 상기 증폭층의 상단 일부에 가장자리 부분이 중앙부분보다 확산깊이가 얕도록 구성되어 가장자리의 증폭층 폭이 중앙부분의 증폭층 폭보다 두껍도록 형성된 확산층, 상기 확산층 주위로 링 형태를 가지며 상기 확산층의 중앙부와 동일한 깊이를 갖도록 형성된 가드링, 상기 확산층 위에 형성된 p-금속전극, 및 기판쪽에 형성된 n-금속전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 기판이 n+-InP 기판인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 전기장 완층층이 전하밀도가 2∼3
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제1항에 있어서, 상기 증폭층이 도핑하지 않은 n-InP인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 확산층이 상기 증폭층 폭이 0
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제1항에 있어서, 상기 가드링이 상기 확산층과 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드
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7
기판 위에 버퍼층을 성장시키는 단계, 상기 버퍼층 위에 광흡수층을 도핑하지 않은 채로 성장시키는 단계, 상기 광흡수층 위에 그레이딩층을 한 층 또는 여러 층으로 성장시키는 단계, 상기 그레이딩층 위에 전기장 완층층을 성장시키는 단계, 상기 전기장 완층층 위에 증폭층을 도핑하지 않은 채로 성장시키는 단계, 상기 확산층 주위로 링 형태를 갖도록 남겨 두고 상기 확산 보조층을 에칭하는 단계, 상기 에칭한 위에 pn접합형성을 위하여 상기 증폭층 상단 일부와 상기 확산 보조층 위에 창을 형성하고 그 둘레에 띠모양의 창을 갖도록 패턴화된 확산 마스크를 형성하는 단계, 상기 증폭층의 상단 일부를 증폭층이 되도록 형성하는 단계, 및 상기 확산층 위에 p-금속전극을 형성하고, 상기 기판 쪽에 n-금속전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 애벌런치 푸토다이오드의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 기판이 n+-InP 기판인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 증폭층 형성단계에서 가장자리 부분은 상기 증폭층의 폭이 중앙보다 크도록 확산 보조층을 이용하여 가장자리에 확산 깊이가 중앙부분의 확산 깊이보다 얕게 되도록 확산시켜 상기 증폭층의 상단 일부를 증폭층이 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 전기장 완층층이 전하밀도가 2∼3
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제7항에 있어서, 상기 증폭층이 도핑하지 않은 n-InP인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 확산층이 상기 증폭층 폭이 0
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제7항에 있어서, 상기 가드링이 상기 확산층과 전기적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 확산 보조층이 InGaAs 또는 InGaAsP 또는 InAlAs 또는 InGaAlAs인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 확산 마스크가 질화실리콘인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 Zn의 확산 공정이 500∼550℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, Be을 이용하여 이온 임플랜테이션(ion implantation) 방법을 사용하여 pn접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 확산을 위해 사용된 상기 확산 보조층 및 상기 확산 마스크를 확산공정이 끝난 후 제거하고 그 위에 표면 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 확산을 위해 사용된 상기 확산 보조층 및 상기 확산 마스크를 확산 공정이 끝난 후 제거하지 않고 그 위에 표면 보호층을 덧붙영 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 표면 보호층이 질화실리콘인 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 확산 보조층이 상기 증폭층의 일보를 식각하여 만드는 것을 특징으로 하는 애벌런치 포토다이오드의 제조방법
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