| 1 |
1
실리콘 기판 위에 제1산화막, 제1질화막, 산화질화막, 그리고 제2질화막을 순차로 증착한 후, 활성영역을 형성하기 위해 사진식각에 의해 상기 막들을 역순으로 건식식각하는 제1공정과, 상기 제1공정의 제2질화막 위에 산화막을 형성한 후, 이 산화막을 과도 비등방성 건식식각에 의해 산화막 스페이서를 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정에서 실리콘 기판이 노출된 부분에 제2산화막을 형성한 후, 그 위에 질화막을 증착하고, 이 질화막을 비등방성건식 식각하여 질화막 스페이서를 형성하는 제3공정과, 상기 제3공정후, 제1필드산화막을 성장하고, 상기 제2질화막과 질화막 스페이서를 습식식각하는 제4공정과, 상기 제4공정 후, 노출된 실리콘 기판을 파서 트랜치를 형성한 후, 그 트랜치 내부에 제3산화막을 형성하고, 상기 산화질화막, 제1필드산화막, 및 제3산화막 위에 새로운 산화막을 형성하는 제5공정과, 상기 형성된 산화막을 형성한 두께 만큼 등방성 건식 또는 비등방성 건식식각하는 제6공정과, 상기 제6공정 후, 열산화막을 성장하여 트랜치에 의한 손상을 줄이기 위해 상기 제1필드산화막의 두께보다는 상대적으로 얇은 제2필드산화막을 형성하는 제7공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1공정은 상기 제1산화막을 3㎚에서 30㎚범위에서 성장하고, 상기 제1질화막을 10㎚에서 160㎚사이의 범위로 증착하며, 상기 산화질화막을 습식산화를 위한 고온로에서 850℃에서 1050℃사이의 온도 범위에서 소정 시간동안 습식산화를 시켜 형성하고, 상기 제2질화막을 10㎚에서 160㎚사이의 두께 범위에서 선정하여 증착하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제2공정에서 산화막은 10㎚에서 70㎚사이의 두께 범위에서 선정하여 형성하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제3공정의 제2산화막은 3㎚에서 30㎚사이의 두께 범위에서 임의의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 제3공정의 질화막 스페이서는 상기 제2산화막 위에 질화막을 50㎚에서 250㎚사이의 두께 범위에서 임의의 두께로 증착하고, 그 증착된 두께 만큼을 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 제4공정의 제1필드산화막은 100㎚에서 500㎚사이의 두께로 성장하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 제5공정의 제3산화막은 3㎚에서 30㎚사이의 두께 범위로 증착하고, 산화막은 30㎚에서 500㎚사이의 두께 범위에서 임의의 한 값을 선정하여 증착하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 트랜치의 최대폭은 건식식각시의 사이징 효과를 줄이기 위해 상기 질화막 스페이서 두께의 두배가 되도록 형성하는 것을 징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 9 |
9
실리콘 기판 위에 제1산화막, 제1질화막, 산화질화막, 그리고 제2질화막을 순차로 증착한 후, 활성영역을 형성하기 위해 사진식각에 의해 상기 막들을 역순으로 건식식각하는 제1공정과, 상기 제1공정의 제2질화막 위에 산화막을 증착한 후, 이 산화막을 과도 비등방성 건식식각에 의해 산화막 스페이서서 형성하는 제2공정과, 상기 제2공정에서 실리콘 기판이 노출된 부분에 질화막을 증착하고, 이 질화막을 비등방성 건식식각하여 질하막 스페이서를 형성하는 제3공정과, 상기 제3공정후, 제1필드산화막을 성장하고, 상기 제2질화막과 질화막 스페이서를 습식식각하는 제4공정과, 상기 제4공정 후, 노출된 실리콘 지판을 파서 트랜치를 형성한 후, 그 트랜치 내부에 제3산화막을 형성하고, 상기 산화질화막, 제1필드산화막, 및 제3산화막 위에 새로운 산화막을 형성하는 제5공정과, 상기 형성된 산화막을 형성한 두께 만큼 등방성 건식 또는 비등방성 건식식각하는 제6공정과, 상기 제6공정후, 열산화막을 성장하여 트랜치에 의한 손상을 줄이기 위해 상기 제1필드산화막의 두께보다는 상대적으로 얇은 제2필드산화막을 형성하는 제7공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 제1공정은, 상기 제1산화막을 3㎚에서 30㎚범위에서 형성하고, 상기 제1질화막을 10㎚에서 160㎚사이의 범위로 증착하며, 상기 산화질화막을 습식산화를 위한 고온로에서 850℃에서 1050℃사이의 온도 범위에서 소정 시간동안 습식산화를 시켜 형성하고, 상기 제2질화막을 10㎚에서 160㎚사이의 두께 범위에서 선정하여 증착하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서, 상기 제2공정에서 산화막은 10㎚에서 70㎚사이의 두께 범위에서 선정하여 증착하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서, 상기 3공정의 질화막 스페이서는 상기 제2산화막 위에 질화막을 50㎚에서 250㎚사이의 두께 범위에서 임의의 두께로 증착하고, 그 증착된 두께 만큼을 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 13 |
13
제9항에 있어서, 상기 제4공정의 제1필드산화막은 100㎚에서 500㎚사이의 두께로 성장하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 14 |
14
제9항에 있어서, 상기 제5공정의 제3산화막은 3㎚에서 30㎚사이의 두께 범위로 증착하고, 산화막은 30㎚에서 500㎚사이의 두께 범위에서 임의의 한 값을 선정하여 형성하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
| 15 |
15
제9항에 있어서, 상기 트랜치의 최대폭은 건식식각시의 사이징 효과를 줄이기 위해 상기 질화막 스페이서 두께의 두배가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자 격리방법
|
