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자기정렬 T-형 게이트의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015075504
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고주파 특성이 우수한 증폭기용 GaAs MESFET 소자의 제조를 위한 자기정렬용 T-형 게이트를 형성하는 방법에 관한 것으로, 반도체 기판(3)상에 채널층(2)과 오믹층(1)을 형성하는 단계와, 형상반전 리소그래피 방법에 의해 음의 측면 기울기를 지닌 자기 정렬용 포토 레지스트 패턴(4)을 상기한 채널층(2) 상에 형성하는 단계와, 상기한 반도체 기판(3)의 전체면에 걸쳐 희생금속 박막층(5)을 증착하고 레지스트를 제거하여 게이트 길이 영역을 설정하는 단계와, 형상반전 리소그래피 방법에 의해 상기한 희생금속 박막층(5)위에 형상반전 레지스트 패턴(6)을 형성하고 게이트 금속층(7)을 증착한 후, 리프트 오프 공정에 의해 T-형 게이트 형상을 형성하는 단계와, 상기한 희생 금속 박막층(5)을 식각 제거하여 T-형 게이트(8)를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 T-형 게이트 형성방법에 따르면, T-형 게이트의 제작을 위하여 마스크 1장 만을 추가로 사용하기 때문에 공정이 간편할 뿐 아니라, 일반 스텝퍼의 패턴 분해능의 한계치인 0.5㎛보다 작은 0.3∼0.4㎛의 T-형 게이트 길이를 갖는 GaAs MESFET 소자를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 27/092 (2006.01)
CPC H01L 21/28587(2013.01) H01L 21/28587(2013.01) H01L 21/28587(2013.01)
출원번호/일자 1019960061307 (1996.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0211961-0000 (1999.05.06)
공개번호/일자 10-1998-0043449 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
3 문재경 대한민국 대전광역시 서구
4 이재진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205044-46
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205043-01
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205042-55
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205045-92
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0205046-37
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0047755-88
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5108190-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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반도체 기판 상에 채널층과 오믹층을 형성하는 단계와, 형상반전 리소그래피 방법에 의해 음의 측면 기울기를 지닌 자기정렬용 포토 레지스트 패턴을 상기한 채널층 상에 형성하는 단계와, 상기한 반도체 기판의 전체면에 걸쳐 희생금속 박막층을 증착하고 레지스트를 제거하여 게이트 길이 영역을 설정하는 단계와, 형상반전 리소그래피 방법에 의해 상기한 희생금속 박막층 위에 형상반전 레지스트 패턴을 형성하고 게이트 금속층을 증착한 후, 리프트 오프 공정에 의해 T-형 게이트 형상을 형성하는 단계와, 상기한 희생금속 박막층을 식각 제거하여 T-형 게이트를 형성하는 단계를 포함하는, 자기정렬 T-형 게이트의 형성방법

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제1항에 있어서, 상기한 희생금속 박막층으로는, 상기한 게이트 금속층의 게이트 금속과 습식식각의 에칭 선택비가 큰 금속인 Al 또는 Ti를 사용하는 것을 특징으로 하는, 자기정렬 T-형 게이트의 형성방법

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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기한 게이트 금속층으로는, 상기한 희생금속 박막층의 금속과 습식식각의 에칭 선택비가 큰 금속인 텅스텐(W), 텅스텐 나이트라이드(WN), 텅스텐 실리사이드(WSi) 또는 텅스텐 실리 나이트라이드(WSiN)를 사용하는 것을 특징으로 하는, 자기정렬 T-형 게이트의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.