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모스(MOS) 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015075516
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야모스트랜지스터.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 소오스/드레인이 얕은 접합을 가지며 면적이 크게 줄어들고 드레인 전류의 비대칭성을 갖지 않으며, 게이트에 의한 단차 발생이 없는 모스 트랜지스터를 제공하는데 있다.3. 발명의 해결 방법의 요지실리콘 기판의 활성영역 상부에 패터닝된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극의 양 측벽 부위의 상기 실리콘 기판에 불순물 확산으로 형성된 소오스/드레인 접합; 및 상기 소오스/드레인 표면으로부터 구비된 소자분리막의 상부로 연장되어 형성된 연결선용 폴리실리콘막을 포함하여, 소오스/드레인을 이온주입 및 열처리에 의해 형성하는 것이 아니고, 도핑된 연결선용 폴리실리콘막으로 부터의 확산에 의해 형성한다.4. 발명의 중요한 용도모스 트랜지스터를 구비하는 반도체 집적 회로
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/823814(2013.01) H01L 21/823814(2013.01) H01L 21/823814(2013.01)
출원번호/일자 1019960062147 (1996.12.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0204037-0000 (1999.03.25)
공개번호/일자 10-1998-0044118 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤용선 대한민국 대전광역시 유성구
2 백규하 대한민국 대전광역시 유성구
3 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207733-32
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207734-88
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.05 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207735-23
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.15 수리 (Accepted) 1-1-1996-0207736-79
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0018430-86
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

모스 트랜지스터에 있어서,

실리콘 기판의 활성영역 상부에 패터닝된 게이트 전극과;

상기 게이트 전극의 양 측벽 부위의 상기 실리콘 기판에 불순물 확산으로 형성된 소오스/드레인 접합; 및

상기 소오스/드레인 표면으로부터 구비된 소자분리막의 상부로 연장되어 형성된 연결선용 폴리실리콘막을 포함하여 이루어진 모스 트랜지스터

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 연결선용 폴리실리콘막은 불순물이 도핑된 폴리실리콘막임을 특징으로 하는 모스 트랜지스터

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 게이트 전극은 증착된 후 화학적 기계적 연마에 의해 평탄화된 폴리실리콘막 패턴임을 특징으로 하는 모스 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.