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습식 식각법을 이용한 점차 가늘어지는 도파로의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015075531
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광통신에 사용되는 반도체 레이저 및 반도체 스위치 등과 같이 소자의 입출력단의 광도파로와 광섬유 사이의 연결 부위가 많은 소자에 있어서, 결합부의 광 결합효율을 높이는 것은 매우 중요한 기술이다. 본 발명은 선택적 식각법을 이용하여 점차 가늘어지는 도파로를 만드는 방법에 관한 것이다. 특히 선택적 식각시에 식각마스크의 폭을 서서히 좁혀 주고 실제 마스크 폭 보다 더 좁은 형상이 구현되도록 일정정도 과도한 식각을 수행함으로써 도파로의 폭과 두께를 동시에 가늘어지도록 만들 수 있기 때문에 넓은 면적에 균일하게 적용할 수 있을 뿐만아니라 재현성 및 경제성 측면에서의 문제점도 해결할 수 있는 방법이다.
Int. CL H01S 3/00 (2006.01)
CPC G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01)
출원번호/일자 1019960069274 (1996.12.20)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0050451 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상민 대한민국 대전광역시 유성구
2 오광룡 대한민국 대전광역시 유성구
3 안주헌 대한민국 대전광역시 유성구
4 김정수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229563-82
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229564-27
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229562-36
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229565-73
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0168812-42
7 출원포기서
Abandonment of Application		 1999.07.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5254032-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

도파로층을 포함한 다층 구조의 반도체 광집적 회로의 제조 방법에 있어서, 상기 다층 구조의 상부에 제 1 패턴폭 및 상기 제 1 패턴폭보다 가늘고 테이퍼진 제 2 패턴으로 이루어진 제 1 식각 마스크를 형성하고 하부의 상기 다층 구조를 선택성 식각 용액으로 식각하여 도파로층의 두께가 점차 얇아지도록 형성하는 단계; 및 상기 제 1 식각 마스크를 제거하고 상기 식각 공정에 의해 형성된 다층 구조의 상부에 제 2 식각 마스크를 형성하여 하부층을 반응성 이온 식각함으로써, 상기 도파로층의 두께가 점차 얇아지면서 가늘어지는 도파로를 형성하는 단계를 포함하는 도파로 제조 방법

2 2

제 1항에 있어서, 도파로층을 형성하는 단계; 상기 도파로층 상부에 하부 도파로 클래드층을 형성하는 단계;

상기 하부 도파로 클래드층 상부에 식각 속도를 조절하기 위한 층을 형성하는 단계;

상기 식각 속도를 조절하기 위한 층의 상부에 식각 마스크 패턴의 폭을 변화시킨 상기 제 1 마스크를 형성하는 단계;

상기 선택성 습식 식각법에 의해 상기 식각 속도를 조절하기 위한 층의 일부를 식각하는 제 1 식각 단계;

상기 선택성 습식 식각법에 의해 상기 식각 속도를 조절하기 위한 층 하부의 도파로 클래드층의 일부를 식각하는 제 2 식각 단계;

상기 선택성 습식 식각법에 의해 상기 식각 속도를 조절하기 위한 층 및 상기 하부 도파로 클래드층을 식각하여 하부의 도파로층이 노출되도록 식각하는 제 3 식각 단계;

상기 식각 마스크를 제거한 후 반응성 이온 식각을하여 상기 식각 속도를 조절하기 위한 층을 제거함과 동시에 하부의 도파로 클래드층 및 도파로층이 점차 얇아지도록 식각하는 제 4 식각 단계; 및 상기 식각 후 제 2 식각 마스크를 형성하여 하부층을 식각함으로써, 상기 도파로층의 두께가 점차 얇아지면서 가늘어지는 도파로를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도파로 제조 방법

3 3

제 2항에 있어서, 상기 식각 마스크는 SiNX인 것을 특징으로 하는 도파로 제조 방법

4 4

제 2항에 있어서, 상기 도파로층은 InGaAsP층인 것을 특징으로 하는 도파로 제조 방법

5 5

제 2항에 있어서, 상기 도파로 클래드층은 InP층인 것을 특징으로 하는 도파로 제조 방법

6 6

제 2항에 있어서, 상기 식각 속도를 조절하기 위한 층은 InGaAs층인 것을 특징으로 하는 도파로 제조 방법

7 7

제 2항에 있어서, 상기 제 1 식각 단계에서 선택성 식각 용액은 인산 및 과산화수소의 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 도파로 제조 방법

8 8

제 2항에 있어서, 상기 제 2 식각 단계에서 선택성 식각 용액은 인산 및 염산의 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 도파로 제조 방법

9 9

제 2항에 있어서, 상기 제 3 식각 단계에서 선택성 식각 용액은 HBr 용액인 것을 특징으로 하는 도파로 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.