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금속배선의 전자이주특성 개선 방법

  • 기술번호 : KST2015075537
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 확산방지막의 방향성 확보에 의해 상부에 증착되는 금속배선의 배향성 개선으로 전자이주 특성을 개선하는 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판위에 확산방지막 또는 seed layer를 열화학 증착 방법이나 스퍼터링, 또는 열변환 등의 방법으로 형성하는 경우, 기판에 직류정원 또는 RF(radio frequency) 바이어스를 인가하여 형성되는 확산방지막이 배향성을 갖도록 하거나 기 형성된 단원계, 이원계 또는 삼원계의 내화금속 및 내화금속 질화물의 플라즈마 처리에 의해 배향성을 확보하여 상부에 고배향의 배선금속이 증착되게 하는 방법이다. 본 발명에서 제시한 확산방지막의 배향성 개선에 의해 전자이주 특성이 우수한 금속배선 구조를 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76856(2013.01) H01L 21/76856(2013.01) H01L 21/76856(2013.01) H01L 21/76856(2013.01)
출원번호/일자 1019960069286 (1996.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0236984-0000 (1999.10.05)
공개번호/일자 10-1998-0050463 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.20)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤태 대한민국 대전광역시 유성구
2 전치훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229610-30
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229612-21
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229611-86
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229613-77
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0132776-19
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.06.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5225229-07
7 의견서
Written Opinion		 1999.06.21 수리 (Accepted) 1-1-1999-5225228-51
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0270278-86
9 FD제출서
FD Submission		 1999.10.05 수리 (Accepted) 2-1-1999-5167062-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

배향성을 가지는 반도체 소자의 금속박막 형성방법에 있어서,

반도체 기판을 제공하는 단계와;

상기 반도체 기판 상에 전원을 인가하면서 상기 반도체 기판 상에 확산방지막을 도포하여 상기 확산방지막이 배향성을 가지도록 하는 단계; 및

상기 확산방지막 상에 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 확산방지막은 Ta, Nb, Cr, Ti, Ta, W, TiN, TaN, WN, TiSiN, TaSiN, WSiN중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 확산방지층은 열화학 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 인가 전원은 직류전압인 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 인가 전원은 RF바이어스인 것을 특징으로 하는 방법

6 6

배향성을 가지는 반도체 소자의 금속박막 형성방법에 있어서,

표면 상부에 확산방지막이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계와;

상기 반도체 기판 상에 전원을 인가하면서 상기 확산방지막을 열처리하여 상기 확산방지막이 배향성을 가지도록 하는 단계; 및

상기 확산방지막 상에 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 확산방지막은 Ta, Nb, Cr, Ti, Ta, W, TiN, TaN, WN, TiSiN, TaSiN, WSiN중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 확산방지층은 열화학 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법

9 9

제 1 항에 있어서,

상기 인가 전원은 직류전압인 것을 특징으로 하는 방법

10 10

제 1 항에 있어서,

상기 인가 전원은 RF바이어스인 것을 특징으로 하는 방법

11 11

배향성을 가지는 반도체 소자의 금속박막 형성방법에 있어서,

표면 상부에 확산방지막이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계와;

상기 반도체 기판 상에 형성된 확산방지막을 질화가스 분위기에서 플라즈마처리하여 상기 확산방지막이 배향성을 가지도록 하는 단계; 및

상기 확산방지막 상에 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법

12 12

제 1 항에 있어서,

상기 확산방지막은 Ta, Nb, Cr, Ti, Ta, W, TiN, TaN, WN, TiSiN, TaSiN, WSiN중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 방법

13 13

제 1 항에 있어서,

상기 확산방지층은 열화학 증착 또는 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법

14 14

제 1 항에 있어서,

상기 질화가스는 암모니아 또는 질소가스인 것을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.