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전력집적회로의 제작방법

  • 기술번호 : KST2015075559
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 항복전압을 갖는 고전압 전력소자에서 문제점으로 지적되는 낮은 집적도와 스탭 커버리지를 향상시킬 수 있는 전력집적회로를 제공하기 위해 고전압 전력집적 회로영역은 두거운 필두산화막이, 저전압 영역인 제어회로 집적영역은 얇은 필드산화막이 형성되는 이중 LOCOS 격리기술을 적용하여 제조되었다.따라서 본 발명에 따른 절력집적회로는 스마트(smart)고전압 전력 집적회로에 이용하면 집적도 및 스탭 커버리지의 문제점을 동시에 해결할 수 있다.
Int. CL H01L 21/76 (2006.01)
CPC H01L 21/823878(2013.01) H01L 21/823878(2013.01) H01L 21/823878(2013.01)
출원번호/일자 1019960066257 (1996.12.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0216537-0000 (1999.05.31)
공개번호/일자 10-1998-0047743 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종대 대한민국 대전광역시 유성구
2 박문양 대한민국 대전광역시 유성구
3 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
4 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220395-53
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220394-18
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220396-09
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.24 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220397-44
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220398-90
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5109426-07
7 등록사정서
Decision to grant		 1999.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0087627-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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전력회로영역과 제어회로영역을 구비하는 전력집적회로의 제조방법에 있어서, P+ 기판(10)상에 P-에피층(11)을 형성하는 단계, 상기 P-에피층(11)의 소정영역에 전력회로영역과 제어회로영역을 전기적으로 격리시키는 격리층(16)을 형성하는 단계, 상기 전력회로영역과 제어회로영역의 P-에피층(11)의 소정영역에 각각 고전압 n-웰(15) 및 p-웰(19)과 저전압 n-웰(18) 및 p-웰(20)을 형성하는 단계, 상기 전력회로영역에 필드산화막 형성용 마스크패텬을 형성한 후 노출된 부분을 산화하여 두께를 가지는 필드산화막(21)을 형성하는 단계, 상기 제어회로영역에 필드산화막 형성용 마스크패턴(13a)을 형성한 후, 노출된 부분을 산화하여 상기 전력회로 영역의 필드산화막 보다 얇은 두께를 가지는 필드산화막(21a)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 집적회로의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 전력회로영역에는 고전압 MOST(100)가 형성되고, 상기 제어회로영역에는 저전압 PMOST(200a)와 저전압 NMOST(200b)가 형성되는 것을 특징으로 하는 전력집적회로의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 마스크패턴(13a, 13b)은 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전력집적회로의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.