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이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075635
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이중 에미터 전극을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 측벽 절연막만을 이용한 자기정렬 방법은 에미터 전극이 완벽한 수직형상에 의존해야 하는 문제점이 있으므로 이를 해결하기 위해, 통상적으로 성장된 이종접합 구조의 에피 웨이퍼상에 제 1 및 제 2 에미터 전극금속을 순차로 증착시키는 공정과, 제 2 에미터 전극 아래로 제 1 에미터 전극층의 측방향 침식이 발생하도록 하는 공정과, 제 1 및 제 2 에미터 전극주변을 둘러싸는 측벽 절연막을 형성하는 공정과, 이러한 측벽절연막을 마스크로 하여 베이스 표면까지 메사식각을 하고 베이스 전극을 증착시키는 제 4 과정을 포함하여 에미터와 베이스의 완전한 자기정렬을 구현하여 외부의 기생저항을 및 커패시턴스를 줄이고, 이로 인해 고속특성이 크게 향상된 이종접합 바이폴라 트랜지스터 소자 및 회로를 제작할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/331 (2006.01)
CPC H01L 29/41708(2013.01) H01L 29/41708(2013.01) H01L 29/41708(2013.01) H01L 29/41708(2013.01) H01L 29/41708(2013.01)
출원번호/일자 1019960015260 (1996.05.09)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0216521-0000 (1999.05.31)
공개번호/일자 10-1997-0077354 (1997.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (19990816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.05.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성호 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 서구
3 박문평 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0060677-14
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0060679-16
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0060678-60
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0060680-52
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0060681-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0445912-17
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.01.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5004579-99
8 의견서
Written Opinion		 1999.01.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5004578-43
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5108053-02
11 등록사정서
Decision to grant		 1999.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0103103-33
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반절연성 화합물 반도체 기판위에 완충층, 컬렉터층, 부컬렉터층, 베이스층, 에미터층, 에미터 캡층이 순차로 성장된 이종접합 구조의 에피 웨이퍼 상에 제1 및 제2에미터 전극금속을 순차적으로 증착시키는 제1공정과, 상기 제2에미터 금속전극이 리프트오프 방법에 의해 형성된 제2에미터 전극을 마스크로 하여 제1에미터 전극을 정의하는 중에 상기 에미터 캡층이 노출되도록 과식각을 하여 상기 제2에미터 전극 아래로 측방향 침식이 발생하도록 유도하는 제2공정과, 상기 제1 및 제2에미터 전극을 포함하여 기판 전면에 유전체 절연막을 도포한 후, 이방성 식각을 하여 상기 제1 및 제2에미터 전극 주변을 둘러싸는 측벽 절연막을 형성하는 제3공정과, 상기 형성된 제1 및 제2에미터 전극 및 측벽 절연막을 마스크로 하여 베이스층 표면까지 메사식각을 하여 베이스 전극을 증착시키는 제4공정으로 이루어져, 에미터와 베이스의 효율적인 자기정렬을 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1에미터 전극은 고온 안정성 및 오믹접촉 특성이 우수하고, 측방향 식각의 제어가 가능한 텅스텐(W), 텅스텐 실리사이드(WSi), 텅스텐 질화막(WN)로 형성되는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1에미터 전극은 상기 제2에미터 전극을 마스크로 하여 정의할때 제1에미터 전극의 측면 식각이 발생하면서 노출되는 기판표면에 대한 물리적 손상이 적도록 등방성의 플라즈마 식각방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 제2에미터 전극은 리프트 오프 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 측벽 절연막은 아르곤(Ar) 혹은 프레온계(CF-) 플라즈마를 이용하여 이방성이 강한 이온 밀링이나 반응성 이온 식각방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 측벽 절연막은 상기 제2에미터 전극의 수직적 형상에 의존하지 않고 제2에미터 전극과 제1에미터 전극사이의 돌출부를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.