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티-형 게이트 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015075645
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 T형 게이트 제조 방법에 관한 것으로, 스탭퍼를 사용하여 실리콘 나이트라이드의 증착 및 건식 식각에 의하여 게이트길이가 짧은 T-형 게이트를 제조하므로서, 게이트 길이가 짧게 형성되면서도 게이트 저항이 증가하지 않아 소자의 이득 및 잡음 특성이 나빠지지 않고, 일반 스탭퍼의 패턴 해결(Resolution)의 한계인 0.5보다 훨씬 작은 0.1-0.2의 게이트 길이를 갖는 고주파용 GaAs MESFET 소자를 제작할 수 있으며, 생산성을 높이고 공정의 단가를 줄일수 있는 T-형 게이트 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 29/66856(2013.01) H01L 29/66856(2013.01) H01L 29/66856(2013.01)
출원번호/일자 1019960033694 (1996.08.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0223021-0000 (1999.07.07)
공개번호/일자 10-1998-0014634 (1998.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (19991001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.08.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
2 문재경 대한민국 대전광역시 서구
3 이재진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.08.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0119670-67
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.08.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0119669-10
3 특허출원서
Patent Application		 1996.08.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0119668-75
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0119671-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0457519-13
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.02.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5057467-15
7 의견서
Written Opinion		 1999.02.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5057466-69
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0126757-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상부에 갈륨비소 채널층을 형성하는 단계와, 상기 갈륨비소 채널층 상부의 선택된 영역에 오옴익층을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 제1실리콘 나이트라이드막을 증착하는 단계와, 상기 제1실리콘 나이트라이드막의 선택된 부분을 식각하여 상기 갈륨비소 채널층의 일부를 노출시키는 단계와, 전체 구조 상부에 제2실리콘 나이트라이드막을 증착하는 단계와, 상기 갈륨비소 채널층의 일부가 노출되도록 상기 제2실리콘 나이트라이드막을 에치 백하는 단계와, 전체 구조 상부에 형상 반전 레지스트를 도포한 후 일부분을 식각하여 게이트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 게이트 패턴에 게이트 금속을 증착한 후 상기 게이트 패턴을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 티형 게이트 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2실리콘 나이트라이드막은 등방향성으로 증착되는 것을 특징으로 하는 티형 게이트 제조 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2나이트라이드막은 웨이퍼면에 수직 방향으로 식각되는 것을 특징으로 하는 티형 게이트 제조 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 티형 게이트는 상기 기판 내부까지 형성되는 것을 특징으로 하는 티형 게이트 제조 방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 티형 게이트의 형상은 상기 형상 반전 레지스트의 패턴 형태에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 티형 게이트 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.