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편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015075647
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 편광을 제어할 수 있도록 공진기가 110 방향과 방향으로 기울어진 표면 방출 레이저를 열 또는 행을 따라 교대로 배열함으로써 수직한 두 방향의 편광 특성을 모두 갖는 표면 방출 레이저 어레이를 제조할 수 있으며, 각각의 표면 방출 레이저는 발진 빔이 원형의 대칭성을 크게 벗어나지 않는 특징을 갖을 수 있고, 편광에 민감한 소자의 응용에 용이하며, 편광에 따라 발진 빔의 진행 방향을 제어할 수 있으므로 광접속 및 광교환을 용이하게 할 분만 아니라 자기광 디스크(magneto-optics disk)와 같이 편광에 민감한 소자에 응용할 때 매우 효과적일 수 있는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조 및 그 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01S 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960035935 (1996.08.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0204569-0000 (1999.03.29)
공개번호/일자 10-1998-0016376 (1998.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.08.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구
2 유병수 대한민국 대전광역시 서구
3 박효훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0126951-56
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0126950-11
3 특허출원서
Patent Application		 1996.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0126949-64
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0126952-02
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.05.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1996-0126953-47
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0017795-56
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

GaAs 반도체 기판 상부에 하부 거울층, 활성층, 상부 거울층을 순차적으로 성장하는 단계와, 상기 GaAs 반도체 기판 하부에 무반사막을 형성하는 단계와, 상기 무반사막의 가장자리의 선택된 영역을 식각하고, n형 전극을 형성하는 단계와, 상기 상부 거울층에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층의 선택된 영역을 110 및 2

제1항에 있어서, 상기 상부 거울층 및 활성층은 반응성 이온 식각 방법 및 반응성 이온빔 식각 방법중 어느 한 방법에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 편관 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 p형 패드는 공진기의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조방법

4 4

GaAs 반도체 기판 상부에 하부 거울층, 활성층, 상부 거울층을 순차적으로 성장하는 단계와, 상기 GaAs 반도체 기판 하부의 선택된 영역에 n형 전극을 형성하는 단계와, 상기 상부 거울층 상부에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상부 거울층 및 활성층의 선택된 영역을 110 및 5

제4항에 있어서, 상기 상부 거울층 및 활성층은 반응성 이온 식각 방법 및 반응성 이온빔 식각 방법중 어느 한 방법에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법

6 6

제4항에 있어서, 상기 p형 패드는 공진기 상부로 레이저 빔이 방출 될 수 있도록 공진기의 가장자리에 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 제조 방법

7 7

표면 방출 레이저의 거울층과 공진기를 110 방향으로 식각한 레이저들과 8

제7항에 있어서, 상기 레이저 빔은 기판의 뒷면으로 방출시키는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의 구조

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제7항에 있어서, 상기 레이저 빔은 기판의 상부 표면으로 방출시키는 것을 특징으로 하는 편광 제어된 표면 방출 레이저 어레이의구조

지정국 정보가 없습니다
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1 US5888842 US 미국 DOCDBFAMILY
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