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광변조기 직접소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075650
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광변조기 집적소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 분포 피드백 레이저와 전계 흡수형(electro-absorption) 광변조기 사이에 결함없이 버트커플링(Butt-coupling)하기 위해 광변조기 성장층 전에 InP 버퍼층을 성장시켜 그 위에 성장되는 변형 보상(strain compensated) InGaAsP/lnGaAsP 다층 양자우물 구조층의 결정 결함을 제거 할 수 있도록 한 광변조기 집적소자 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01S 3/10 (2006.01)
CPC H01S 5/0265(2013.01) H01S 5/0265(2013.01) H01S 5/0265(2013.01)
출원번호/일자 1019960040113 (1996.09.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0212456-0000 (1999.05.10)
공개번호/일자 10-1998-0021301 (1998.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (19990802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.09.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승원 대한민국 대전광역시 유성구
2 남은수 대한민국 대전광역시 서구
3 김홍만 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0140327-15
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0140328-50
3 특허출원서
Patent Application		 1996.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0140326-69
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0140329-06
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0061433-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

회절 격자층, 활성층, InGaAsP 광도파로층 및 절연막이 순차적으로 적층된 반도체 레이저를 성장한 후 반응 이온 식각하는 단계와, 상기 반응 이온 식각 후 InP 버퍼층을 성장하여 성장이 용이한 (011)결정면과 (100)결정면을 성장하는 단계와, 상기 InP 버퍼층을 성장한 후 InGaAsP/InGaAsP 다층 양자우물 구조층, InGaAsP 광도파로층 및 InP 클래드층이 순차적으로 적층된 광변조기를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광변조기 직접소자 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 InP 버퍼층 성장에 의한 결정면 생성 방법은 성장 온도를 610 3

제1항에 있어서, 상기 InP 버퍼충 성장에 의한 결정면 생성 방법은 성장 압력을 40 내지 100 토르로 하여 성장 하는 것을 특징으로 하는 광변조기 직접소자 제조 방법

4 4

반도체 레이저를 성장하는 단계와, 상기 반도체 레이저 성장 후 InP 버퍼층을 성장하는 단계와, 광변조기의 흡수층으로 사용될 InGaAsP/InGaAsP 다층 양자우물 구조층을 성장하는 단계와, 3차 반절연 InP 및 4차 p-InP 클래드층을 성장하여 매립형의 광도파로를 형성하는 단계와, 전극 형성을 위하여 p와 n 옴 전극을 형성하는 단계와, 광변조기 부분의 앞면에 무반사 박막 코팅을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 광변조기 직접소자 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.