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제1도전형의 반도체기판(21)과, 그 반도체기판내에서 소자 영역을 한정하는 트렌치(122)와, 그 트렌치(122) 내부에 형성된 제1 및 제2기둥(141)(142)과, 상기 트랜치 내부에 제2도전형 불순물이 고농도로 도핑된 폴리실리콘이 형성되고 그 폴리실리콘으로부터 확산되어 상기 제1 및 제2기둥(141)(142) 하부에 형성된 불순물 확산 영역(123)과, 상기 제1기둥(141)의 상부에는 상기 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 에미터 영역(126)과, 상기 불순물 확산 영역(123)과 에미터 영역(126)의 중간에 형성되는 제1도전형의 베이스영역(127)과, 상기 제2기둥(142)의 전체에 상기 불순물 확산영역(123)과 전기적으로 연결되는 상기 제2도전형 불순물이 도핑된 제2도전형의 싱크(139)와, 상기 트렌치(122) 내부를 소정 높이까지 채우는 제1절연 산화막(134)을 형성하여 그 위에 형성된 제1도전형의 폴리실리콘 베이스전극(124)와, 상기 베이스영역(127)과 폴리실리콘 베이스전극(124)을 서로 연결하는 제1도전형의 베이스 접속부(125)와, 상기 에미터영역(126)의 상부에 자기정렬 방법에 의해 형성된 제2도전형의 폴리실리콘 에미터전극(128)과, 상기 폴리실리콘 에미터전극(128), 폴리실리콘 베이스전극(124) 및 싱크(139)의 상부에 콘택되어 에미터전극, 베이스 전극 및 콜렉터전극으로 이용되는 금속 전극(129)로 구성되는 것을 특징으로 하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 소자 영역을 한정하는 트렌치의 내부에 제1기둥(141)이 다수 개가 형성되고 불순물 확산 영역(123)이 공통으로 사용되도록 구성된 것을 특징으로 하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터
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P형 실리콘의 반도체기판(121)상에 트렌치(122)를 형성함과 아울러 트렌치(122) 내측의 소정부분이 제거되지 않도록 하여 제1 및 제2 기둥(141)(142)이 형성하는 공정과, 상기 트렌치(122)의 내부에 소정 두께의 폴리실리콘을 형성하는 공정과, 그 폴리실리콘 및 상기 제2기둥 (142) 상부에 불순물을 고농도로 도핑시키고 확산공정에 의해 제1 및 제2기둥(141,142) 아래에 불순물 확산층을 형성함과 아울러 제2기둥에 싱크(139)를 형성하는 공정과, 상기 트렌치(122)의 내부에 산화막을 형성하여 그 상부에 베이스 전극(124)을 형성하는 공정과, 상기 제1기둥(141)과 폴리실리콘 베이스전극(124) 사이에 베이스 접속부(125)을 형성하는 공정과, 제1기둥(141)에 불순물을 순차적으로 이온 주입하고 열처리하여 불순물이 도핑된 베이스영역(127)과 에미터영역(126)을 형성하는 공정과, 상기 제1기둥의 상부에 폴리실리콘을 증착후 패터닝하여 에미터영역(126)보다 넓은 면적을 갖는 자기정렬된 폴리실리콘 에미터전극(128)을 형성하는 공정과, 상기 폴리실리콘 베이스전극(124), 폴리실리콘 에미터전극(128) 및 싱크 영역(139)의 상부를 노출시키 후 베이스전극, 에미터전극, 및 콜렉터전극으로 이용되는 금속전극(129)을 형성하는 공정을 수행하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터 제조방법
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제3항에 있어서, 기둥형 바이폴라 소자의 불순물 확산층 형성시 트랜치 안의 산화막위에 폴리실리콘을 증착시켜 불순물을 주입하고, 기둥 벽면에 있는 산화막을 제거한 후 다시 폴리실리콘을 증착하고, 상기 불순물이 포함된 폴리실리콘을 확산시켜 고농도의 제2도전형 불순물 확산 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터
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제3항에 있어서, 상기 트렌치 및 제1, 제2기둥 형성후, 상부 전면에 산화막(133)을 형성하는 단계와,트렌치 내부에 폴리실리콘을 증착하고 평탄화 및 에칭하여 소정높이로 형성하는 단계와, 제2기둥의 상부에 있는 산화막을 제거하고 N형의 불순물을 제2기둥과 및 상기 트렌치 내부의 폴리실리콘에 도핑시키는 단계와, 상기 제1, 제2기둥의 상부 및 측면 산화막을 제거하는 단계와, 기판 전면에 폴리실리콘을 증착후 확산공정으로 제1기둥 및 제2기둥의 하부에 불순물이 확산된 영역을 형성함과 아울러 제2기둥에 불순물이 확산된 싱크를 형성하는 단계와, 기판의 전면에 CVD 방법에 의해 소정두께의 절연 산호막을 형성하는 단계를 수행하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기둥형 바이폴라 트랜지스터
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