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활성 영역이 정의된 실리콘 기판 상부에 제1절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막상에 불순물 이온을 주입하여 상기 실리콘 기판에 LDD 확산 영역을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상부에 감광막을 도포한 후 트렌치 마스크를 사용하여 사진 전사 및 식각 공정으로 상기 제1절연막 및 실리콘 기판을 소정 깊이로 식각하여 게이트 채널 영역을 형성하는 단계와, 상기 게이트 채널 영역에 불순물 이온을 주입하는 단계와, 상기 감광막을 제거한 후 게이트 절연막을 성장시키는 단계와, 전체 구조 상부에 게이트 전극막을 증착한 후 게이트 마스크를 사용하여 게이트 패턴을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 불순물 이온 주입 및 열처리 공정을 수행하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 제2절연막을 증착한 후 선택된 영역에 콘택 영역을 형성하는 단계와, 상기 콘택 영역을 식각하고 금속 배선을 형성한 후 열처리(alloy) 공정을 수행하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 모스페트(MOSFET) 중첩 소자 제조 방법
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