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광증폭기가 집적된 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075701
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 1.3㎛ 파장대 광통신의 광원으로 사용되는 반도체 레이저의 신호 세기를 증가시켜 전송거리를 증대시킬 수 있도록 구성된, 광 증폭기가 집적된 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른, 반도체 레이저 다이오드는, 분산 궤환형 반도체 레이저 다이오드와, 상기한 반도체 레이저 다이오드의 광신호를 증폭하기 위한 광 증폭기와, 상기한 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기를 전기적으로 절연시키기 위한 절연 도파로를, 동일한 하나의 반도체 웨이퍼 기판 상에 집적시켜 구성된 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른, 광 증폭기가 집적된 반도체 레이저 다이오드의 제조방법은, InP 기판 상에 분산 궤환을 일으키기 위한 회절격자 형성용의 InGaAs 또는 InGaAsP의 반도체층과 이를 보호하는 InP 캡층을 성장하는 단계와, 상기 단계에서 얻어진 기판 상에 감광막 격자를 형성하는 단계와, 상기 단계에서 형성된 감광막 격자를 식각 마스크로 사용하여 습식 식각 또는 건식 식각을 수행하여, 분산 궤환을 위한 InGaAs 또는 InGaAsP의 회절격자를 형성하는 단계와, 상기 단계에서 얻어진 기판의 감광막을 제거하고, 레이저 다이오드가 형성될 영역을 제외한 영역인 광 증폭기와 절연 도파로가 형성될 영역 위의 회절격자를 제거하는 단계와, 상기 단계에서 얻어진 기판 상에 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기의 활성층을 성장하는 단계와, 상기 단계에서 얻어진 기판 내부에 상기한 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기를 전기적으로 절연시키기 위한 절연 도파로를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01S 3/00 (2006.01)
CPC H01S 5/026(2013.01) H01S 5/026(2013.01) H01S 5/026(2013.01)
출원번호/일자 1019960066278 (1996.12.16)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0047764 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정수 대한민국 대전광역시 유성구
2 김형문 대한민국 대전광역시 중구
3 주흥로 대한민국 대전광역시 유성구
4 김흥만 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220499-03
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220500-62
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220501-18
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220502-53
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0220503-09
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5109442-27
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0168811-07
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0261699-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

분산 궤환형 반도체 레이저 다이오드와,

상기한 반도체 레이저 다이오드의 광신호를 증폭하기 위한 광 증폭기와,

상기한 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기를 전기적으로 절연시키기 위한 절연 도파로를,

동일한 하나의 반도체 웨이퍼 기판상에 집적시켜 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드

2 2

InP 기판상에 분산 궤환을 일으키기 위한 회절격자 형성용의 InGaAs 또는 InGaAsP의 반도체층과 이를 보호하는 InP 캡층을 성장하는 단계와,

상기 단계에서 얻어진 기판상에 감광막 격자를 형성하는 단계와,

상기 단계에서 형성된 감광막 격자를 식각 마스크로 사용하여 습식 식각 또는 건식 식각을 수행하여, 분산 궤환을 위한 InGaAs 또는 InGaAsP의 회절격자를 형성하는 단계와,

상기 단계에서 얻어진 기판의 감광막을 제거하고, 레이저 다이오드가 형성될 영역을 제외한 영역인 광 증폭기와 절연 도파로가 형성될 영역 위의 회절격자를 제거하는 단계와,

상기 단계에서 얻어진 기판상에 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기의 활성층을 성장하는 단계와,

상기 단계에서 얻어진 기판 내부에 상기한 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기를 전기적으로 절연시키기 위한 절연 도파로를 형성하는 단계를 포함하는, 광 증폭기가 집적된 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기한 광 증폭기와 절연 도파로가 형성될 영역 위의 회절격자를 제거하는 단계는,

상기한 감광막이 제거된 기판 위에, SiNx 또는 SiOx의 유전체 박막을 피복하고, 통상적인 포토 리소그래피 방법을 이용하여 레이저 다이오드가 형성될 영역을 제외한 영역 위에 위치한 유전체 박막을 제거한 다음, InGaAs 또는 InGaAsP의 선택적 식각을 수행한 후, 상기한 유전체 박막을 제거하는 과정을 거쳐 수행하는 것을 특징으로 하는,

광 증폭기가 집적된 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

4 4

제 2 항에 있어서,

상기한 절연 도파로 형성 단계는,

상기한 활성층이 성장된 기판을 SiNx 또는 SiOx의 유전체 박막으로 피복하고, 절연 도파로를 형성할 부분의 유전체 박막을 제거한 후, 유전체 박막이 제거된 부분에 아르곤을 주입하거나 아연을 확신시켜 상기한 활성층에 결정 결함을 유발시키고, 이를 열처리하는 과정과,

상기한 유전체 박막을 마스크로 이용하여, 습식 식각 또는 건식 식각으로 반도체 레이저 다이오드와 광 증폭기 사이에 위치한 p-InP층을 제거하는 과정을 거쳐 수행하는 것을 특징으로 하는,

광 증폭기가 집적된 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.