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동일 평면상에 PNP/NPN 상보형 HBT를 제조하기 위한 에피층 형성방법

  • 기술번호 : KST2015075707
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 동일 평면상에 Npn과 Pnp AlGaAs/GaAs 이중 접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 제조하는 방법에 관한 것으로, Npn과 Pnp AlGaAs/GaAs HBT를 동일 평면상에 제작하기 위하여 반절연성 갈륨비소기판(10)을 사진식각법으로 패터닝하여 장방형의 Npn AlGaAs/GaAs HBT 개별소자의 크기를 갖는 돌출부(100)와 오목부(200)를 형성하고, Npn AlGaAs/GaAs HBT의 에피층과, Pnp AlGaAs/GaAs HBT의 에피층을 차례로 증착한 다음, 상기 돌출부 상측에 형성된 Pnp HBT의 에피층을 제거하여 동일평면상에 상보형 HBT의 에피층을 형성한다.따라서, 본 발명에 따른 에피층의 형성방법을 HBT의 제조공정에 적용하는 것에 의해 동일평면상에 Npn/Pnp 상보형 HBT를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1019960064705 (1996.12.12)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0211940-0000 (1999.05.06)
공개번호/일자 10-1998-0046380 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 서구
3 박성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215619-78
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215617-87
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215618-22
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.24 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215620-14
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0215621-60
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0057265-07
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5109410-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반절연성 갈륨비소기판을 사진식각 공정으로 패터닝하여 Pnp AlGaAs/GaAs HBT 개별소자의 크기를 갖는 장방형의 돌출부와 오목부를 형성하는 공정과, 상기 기판의 전면에 Npn HBT의 에피층을 형성하는 공정과, 상기 Npn HBT의 에피층상에 Pnp HBT의 에피층을 형성하는 공정과, 상기 돌출부의 상측에 형성된 Pnp HBT의 에피층을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 동일평면상에 Npn/Pnp 상보형 HBT를 제조하기 위한 에피층 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 Npn HBT의 에피층은 n+-GaAs층(11), n--GaAs층(12), p+-GaAs층(13), N-AlGaAs층(14) 및 n+-GaAs층(15)을 차례로 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 동일평면상에 Npn/Pnp 상보형 HBT를 제조하기 위한 에피층 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 Pnp HBT의 에피층은 p+-GaAs층(21), p--GaAs층(22), n+-GaAs층(23), P-AlGaAs층(24) 및 p+-GaAs층(25)을 차례로 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 동일평면상에 Npn/Pnp 상보형 HBT를 제조하기 위한 에피층 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 Pnp HBT의 에피층은 불순물 도핑농도가 5 5

제1항에 있어서, 상기 Npn HBT의 에피층은 불순물 도핑농도가 5 6

제1항에 있어서, 상기 돌출부분의 Npn HBT의 에피층상에 형성된 Pnp HBT의 에피층은 H2SO4-H2O2-H2O계 용액을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 동일평면상에 Npn/Pnp 상보형 HBT를 제조하기 위한 에피층 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.