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마이크로 자이로스코프 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015075716
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 장치 제조 방법에 관한 것으로, 각속도 측정 장치의 제조에 있어서 종래의 방법인 기판 가공 기술은 식각시 정확한 수직구조를 구현할 수 없는 문제점을 해결하기 위해 희생층을 형성하고 친수성 처리한 후 결정면이 ＜110＞ 방향인 실리콘 웨이퍼를 기판 접합 기술에 의해 하부 전극이 제조된 실리콘 웨이퍼 위에 부착하고, 표면 가공 기술인 기상 식각 공정으로 상기 희생층을 제거하므로써 고착 현상없이 구조체를 띄울 수 있고, 가로세로비가 크고 정확한 구조의 구현에 의해 안정된 미세 구조체의 제조를 통하여 고감도, 저전압 구동형 마이크로 자이로스코프의 구현이 가능하며, 저응력 미세 구조체의 제조와 주변 회로와의 접속을 위한 금속 전극의 제조가 용이한 마이크로 자이로스코프 제조 방법이 제시된다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01)
CPC H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01) H01L 29/84(2013.01)
출원번호/일자 1019960069404 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0233848-0000 (1999.09.14)
공개번호/일자 10-1998-0050573 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장원익 대한민국 대전광역시 유성구
2 이용일 대한민국 대전광역시 유성구
3 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
4 유형준 대한민국 대전광역시 유성구
5 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229940-92
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229942-83
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229941-37
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0229943-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0029445-17
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.03.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5130863-28
7 의견서
Written Opinion		 1999.03.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5130862-83
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0202604-40
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판 상부에 제 1 열산화막, 질화막 및 다결정 실리콘을 증착한 후 상기 다결정 실리콘에 인을 도핑하는 단계와, 상기 다결정 실리콘의 선택된 영역을 식각한 후 희생층인 제 1 산화막을 증착하는 단계와, 상기 제 1 산화막을 포함한 기판 표면에 친수성 처리를 실시하는 단계와, 상기 제 1 산화막 상부에 결정면 방향이 ＜110＞인 실리콘 기판을 기판 접합기술에 의해 접합시킨 후 상기(110) 실리콘 기판의 뒷면에 그라인딩을 실시하는 단계와, 상기 실리콘 기판의 뒷면에 제 2 열산화막을 성장시키는 단계와, 상기 실리콘 기판에 접합된 (110) 실리콘 기판을 KOH 용액에서 식각하여 소정 두께만큼 가공한 후 인을 도핑하거나 금속을 도금하는 단계와, 상기 (110) 실리콘 기판의 선택된 영역을 식각한 후 (110) 실리콘 기판 상부에 제 2 산화막을 증착하는 단계와, 상기 제 2 산화막을 포함한 전체 구조에 열처리를 실시한 후 제 2 산화막을 식각하여 제거하는 단계와, 상기 (110) 실리콘 기판 상부에 티타늄텅스텐을 증착한 후 상기 티타늄텅스텐의 선택은 영역을 제거하고 기상 식각 방법으로 제1산화막을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프 제조 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제 1 산화막은 TEOS, LTO 및 열산화막중 어느 하나를 증착한 후 기상 식각 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프 제조 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 기판은 표면을 H2O2:H2SO4 용액으로 친수성 처리하여 단결정 실리콘 (110)을 기판 접합 기술로 접합하고 이방성 식각 특성을 이용하여 가로세로비가 크고 재현성 있는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.