강유전 박막을 게이트 유전막으로 채택한 비파괴성 판독(NORO)-형 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,

규소기판(1)에 규소산화막(3a,3b)에 의하여 격리영역을 형성하는 제1단계와,

상기의 기판(1)위에 열산화막 또는 화학 기증 증착(CVD) 산화막(9)을 형성한 뒤 저압 화학 기상 증착(LPCVD)에 의해 규소질화막(10)과 화학 기상 증착(CVD) 규소산화막(11)을 차례로 형성하는 제2단계와,

상기 규소산화막(11) 위에 감광막을 형성한 후 소오스/드레인 마스크 작업을 수행하여 소오스/드레인 영역만 감광막을 제거하는 제3단계와,

상기 감광막이 제거된 소오스/드레인 영역의 규소산화막(11)과 규소질화막(10)과 규소산화막(9)을 반응성 이온 에칭(RIE)에 의해 차례로 식각을 하는 제4단계와,

상기 제3단계에서의 식각에 의해 남은 감광막(12a,12b,12c)을 제거한 뒤 저압 화학 증기 증착(LPCVD)에 의해 다결정규소막(4)을 형성하는 제5단계와,

상가 다결정규소막(4)을 상기의 규소산화막(11a,11b,11c)이 노출될 때까지 평탄케 하는 제6단계와,

상기 소오스/드레인 영역에 형성된 다결정규소막(4a,4b)에 P와 As를 이온주입하여 열산화하여 규소산화막(14a,14b)을 형성하는 제7단계와,

인산 용액을 이용하여 상기 남은 규소질화막(10a,10b,10c)을 제거한 뒤 불산 용액을 이용하여 상기의 규소산화막(9)을 제거하는 제8단계와,

게이트 절연막으로서 산화물계 강유전체와 산화막과 강유전체 박막의 2층 구조 또는 규소와 반응하여 산화물을 형성하지 않는 비산화물계 강유전 박막(15)을 형성하는 제9단계와,

상기의 강유전 박막(15)위에 PVD나 유기 금속 화학 증기 증착(MOCVD)을 위하여 금속을 증착한 뒤 게이트 마스크 작업을 수행하여 감광막을 게이트 영역에 남긴 뒤 반응성 이온 에칭(RIE) 또는 습식 식각에 의해 상기의 금속과 강유전 박막(15)을 식각하여 게이트 유전막(7)과 게이트 전극(8)을 형성하는 제10단계와,

콘텍트의 형성과 금속 배선의 형성 공정에 의하여 소오스 전극(17a)과 드레인 전극(17b)을 형성하는 제11단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제3단계는

활성 마스크 작업 후 소오스/드레인 마스크 작업을 수행하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제5단계는

하부 규소산화막/규소질화막/상부 규소산화막의 두께를 각각 10∼30nm와, 20∼50nm와, 200∼400nm로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제6단계는

다결정규소막(4)을 화학 기계적 연마(CMP)에 의해 평탄화시키는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 제7단계는

다결정규소(4a,4b) 소오스/드레인에만 열산화에 의하여 규소산화막(14a,14b)을 형성하되 두께가 30∼50nm가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터의 제조방법

기판(1)에 격리영역을 위해 형성된 규소산화막(3a,3b)과,

상기 규소산화막 위에 순차로 형성되는 열산화막 또는 화학 기상 증착(CVD) 산화막(9)과, 규소질화막(10) 및 화학 기상 증착(CVD) 규소산화막(11)과,

상기 화학 기상 증착 산화막(9)과, 규소질화막(10)과, 화학 기상 증착 규소산화막(11)이 식각된 소오스/드레인 영역에 증착과 화학 기계적 연마(CMP)에 의해 형성된 다결정 규소막(4a,4b)과,

상기 다결정 규소막(4a,4b)을 열산화시켜 형성된 규소산화막(14a,14b)과,

상기 열산화에 의해 상기 다결정규소막(4a,4b)에 포함된 인과 비소가 상기 기판(1)내에 확산되면서 형성된 소오스/드레인 확산층(6a,6b)과,

상기 규소질화막(10)과 규소산화막(9)을 제거시에 두께가 얇게 형성되는 규소산화막(5a,5b)과,

상기한 규소 질화막과 규소산화막 위에 게이트 전극을 절연시키기 위해 형성된 강유전 박막(15)과,

상기 강유전 박막(15)이 식각되어 형성된 강유전 박막(7)과 그 위에 형성된 게이트 전극(8)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터

제6항에 있어서,

하부 규소산화막/규소질화막/상부 규소산화막으로 이루어진 다층 절연막을 이용하여 반응성 이온 에칭(RIE) 손상으로부터 채널 영역을 보호하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터

제6항에 있어서,

소오스/드레인 확산층(6a,6b) 위에만 채널 영역의 규소질화막/규소산화막을 이용하여 두꺼운 규소산화막(5a,5b,5d,5e)을 형성하여 강유전 박막(7,15)과 반응하는 것과 게이트/드레인 중첩 커패시턴스가 커지는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터

제6항에 있어서, 상기 강유전 박막은

산화물계 강유전체 산화막과, 강유전체 박막의 2층 구조 또는 BaMgF4 등의 비산화물계인 강유전체 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터

제6항에 있어서, 상기 게이트 전극(8)은

W, Al 금속 또는 Al/TiW와, Al/TiN와, Cu/TiN 등의 금속계로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터