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석영유리 광 도파 박막 제조 방법 및 그를 위한 장치

  • 기술번호 : KST2015075739
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야광 도파로 제조 기술중, 석영유리 광 도파 박막 2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 저렴한 단가로 제조상의 어려움 없이 양질의 광 도파 박막을 제조 하고자 함.3. 발명의 해결 방법의 요지실리카 성분을 포함하는 강 염기성 원료 수용액을 강산으로 중화시켜 수트상의 수산화 실리케이트 박막을 기판상에 침전 증착하고, 상기 수트상의 수산화 실리케이트 박막을 열분해 및 유리화한다.4. 발명의 중요한 용도석영유리 광 도파 박막의 제조
Int. CL G02B 6/00 (2006.01)
CPC G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01) G02B 6/13(2013.01)
출원번호/일자 1019960052472 (1996.11.06)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0198965-0000 (1999.03.03)
공개번호/일자 10-1998-0034431 (1998.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.11.06)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신장욱 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 심재기 대한민국 대전광역시 유성구
3 성희경 대한민국 대전광역시 유성구
4 정명영 대한민국 대전광역시 유성구
5 최태구 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178482-07
2 특허출원서
Patent Application		 1996.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178481-51
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.11.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178483-42
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178484-98
5 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0466559-39
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판상에 석영유리 광 도파 박막을 제조함에 있어서,

실리카 성분을 포함하는 강 염기성 원료 수용액을 강산으로 중화시켜 수트상의 수산화 실리케이트 박막을 기판상에 침전 증착하는 단계;

상기 수트상의 수산화 실리케이트 박막을 열분해 및 유리화하는 단계를 포함하여 이루어진 광 도파 박막 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 열분해 및 유리화하는 단계는,

상기 수트상의 수산화 실리케이트 박막의 유리화 온도조절 및 굴절률 조절을 위해 상기 수트상의 수산화 실리케이트 박막상에 첨가이온을 흡착시키는 단계;

상기 첨가이온이 흡착된 수트상의 수산화 실리케이트 박막을 열분해하여 실리카 박막으로 형성하는 단계;

상기 실리카 박막을 고온에서 용융시켜 실리카 유리 광도파 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 첨가이온의 흡착은 상기 첨가이온을 함유한 수용액에 기판을 담그어 이온을 흡착하고 기판을 꺼내어 건조시키는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

4 4

제 2 항에 있어서,

상기 첨가이온은 붕소, 인, 은, 게르마늄, 티타늄 중 어느하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 강 염기성 원료 수용액을 강산으로 중화시키기 위해, 상기 원료 수용액을 담고 있는 반응조내에 강산 증기를 가열된 기체 상태로 유입시켜 원료 수용액의 표면에서 반응이 일어나게 하는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

6 6

제 2 항에 있어서,

상기 실리카 유리 광도파 박막을 형성하기 위한 고온 용융시, 수산기 이온 탈착과 유리화 정도를 개선하기 위하여 염소 또는 붕산을 포함하는 분위기에서 상기 고온 용융을 실시하는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

7 7

제 1 항에 있어서,

상기 원료 수용액은 15 중량% 이상의 실리카 성분을 포함한 물유리를 물로 희석시켜 산-염기도가 pH 6 내지 pH 10 정도가 되게 조절한 용액임을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

8 8

기판상에 석영유리 광 도파 박막을 형성하기 위한 장치에 있어서,

실리카 성분을 포함하는 강 염기성 원료 수용액(301)을 담을 수 있도록 일측이 개방되는 공간을 제공하는 반응조(302);

강산 공급장치(313);

상기 반응조의 개방면을 개폐하며, 상기 강산공급장치로부터의 강산 증기를 상기 반응조(302) 내의 수용액(301)에 공급하기 위한 흡기관(303)과, 배기관(304)이 장착된 덮개(302a);

상기 반응조(302)의 탈착 수납이 가능하며 상기 반응조에 열을 가하기 위한 발열수단(305)을 갖는 가열조(306); 및

상기 반응조(302) 내부의 수용액에 딥(dip)되는 기판의 증착면이 상기 수용액의 수면을 향하도록 상기 기판을 로딩할 수 있는 기판지지대(307)를 구비하는 석영유리 광 도파 박막 제조 장치

9 9

제 8 항에 있어서,

상기 반응조(302)에 담긴 원료 수용액(301)의 산-염기도(pH)를 측정하는 장치(311)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 석영유리 광 도파 박막 제조 장치

10 10

제 8 항에 있어서,

상기 반응조(302)에 담긴 원료 수용액(301)의 온도를 측정하는 장치(310)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 석영유리 광 도파 박막 제조 장치

11 11

제 8 항에 있어서,

상기 배기관(304)에 연결되어 상기 반응조(302) 내부에서 유출되는 염산의 증기를 흡수 및 중화하는 장치(307)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 석영유리 광 도파 박막 제조 장치

12 12

제 8 항에 있어서,

상기 흡기관(303)에 연결되어 상기 반응조(302) 내부를 퍼지시키기 위한 퍼징가스공급장치(312)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 석영유리 광 도파 박막 제조 장치

13 13

제 8 항에 있어서,

상기 흡기관(303)은 상기 반응조(302) 내부로 유입되는 가스 및 증기의 유량을 조절하는 밸브(314)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 석영유리 광 도파 박막 제조 장치

14 14

제 8 항에 있어서,

상기 발열수단(305)에 연결된 온도조절장치(315)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 석영유리 광 도파 박막 제조 장치

15 15

제 8 항에 있어서,

상기 강산 증기가 흡기관에서 응축이 일어나지 않도록하는 상기 흡기관외벽에 형성된 보온 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 석영유리 광 도파 박막 제조 장치

16 16

일측이 개방되는 공간을 제공하는 반응조(302)와, 강산 공급장치(313)와, 흡기관(303)과 배기관(304)이 장착된 덮개(302a)와, 발열수단(305)을 갖는 가열조(306)와, 수용액 내에서 기판을 로딩할 수 있는 기판지지대(307)를 구비하는 광 도파 박막 제조 장치를 사용한 석영유리 광 도파 박막 제조 방법에 있어서,

실리카 성분을 포함하는 강 염기성 수용액을 상기 반응조에서 제조하는 제1단계;

광 도파 박막이 형성될 기판이 로딩된 상기 기판지지대를 상기 강 염기성 수용액의 적정 위치에 장착하며, 상기 광 도파 박막 제조 장치를 세팅하는 제2단계;

상기 강 염기성 수용액을 20℃ 내지 80℃로 유지시키고, 20℃~80℃ 정도로 온도가 조절된 염산 증기를 상기 반응조 내로 유입 시켜 중화 반응에 의한 수트상의 수산화 실리케이트를 침전시키는 제3단계;

퍼징 가스의 유입에 의해 잔류 염산 증기를 상기 반응조 내에서 축출하는 제4단계;

상기 수산화 실리케이트가 부착된 기판을 언로딩하고 부착막의 균열이 일어나지 않을 정도의 온도에서 건조시키는 제5단계;

상기 건조된 기판을 세정 및 건조하여 다량의 불순물을 제거하는 제6단계;

상기 수산화 실리케이트의 굴절률 및 유리화 온도 조절을 위해 상기 수산화 실리케이트상에 첨가 이온을 흡착시키는 제7단계;

상기 제7단계가 완료된 기판을 항온조에 넣고 서서히 가열하여 상기 수산화실리케이트의 열분해에 의한 실리카 박막을 형성하는 제8단계;

상기 제8단계가 완료된 기판을 전기로에 넣고 고온에서 용융 시켜 실리카 유리 광 도파 박막을 형성하는 제9단계를 포함하여 이루어지는 광 도파 박막 제조 방법

17 17

제 16 항에 있어서,

상기 제1단계는 15 중량% 이상의 실리카 성분을 포함하는 물유리를 물로 희석시켜 산-염기도가 pH 6 내지 pH 10 정도가 되게 조절한 다음, 여과지를 사용하여 고상 불순물을 제거한 원료 용액을 상기 반응조에 넣고 자석 교반기를 사용하여 강제 혼합 시키는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

18 18

제 16 항에 있어서,

상기 제2단계에서 상기 기판의 표면과 상기 수용액의 수면 사이 거리를 약 10mm 이내로 조절하는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

19 19

제 16 항에 있어서,

상기 제3단계에서 상기 반응조 내로 상기 강산 증기를 공급할 때 캐리어 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

20 20

제 16 항 또는 제 19 항에 있어서,

상기 염산 증기가 상기 흡기관 또는 상기 배기관에서 응축이 일어나지 않도록 적절한 온도로 가하여 주는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

21 21

제 16 항에 있어서,

상기 제5단계에서의 건조를 위한 온도는 50℃ 이하인 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

22 22

제 16 항에 있어서,

상기 제6단계에서의 세정은 깨끗한 증류수에 함침시킨 후 가열하여 소정온도에서 소정시간 방치하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

23 23

제 16 항에 있어서,

상기 첨가이온의 흡착은 상기 첨가이온을 함유한 수용액에 기판을 담그어 이온을 흡착하고 기판을 꺼내어 건조시키는 시키는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

24 24

제 16 항 또는 제 23 항에 있어서,

상기 첨가이온은 붕소, 인, 은, 게르마늄, 티타늄 중 어느하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

25 25

제 16 항에 있어서,

상기 실리카 박막을 형성하기 위한 고온 용융시, 수산기 이온 탈착과 유리화 정도를 개선하기 위하여 염소 또는 붕산을 포함하는 분위기에서 상기 고온 용융을 실시하는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

26 26

제 16 항 또는 제 25 항에 있어서,

상기 고온 용융은 800℃ 내지 1300℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 광 도파 박막 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.