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기판 위에 도전형의 콜렉터층, 베이스층, 및 에미터층이 순차로 형성되고, 상기 베이스층과 콜렉터층 사이에 콜렉터 전위 장벽층, 에미너층과 베이스층 사이에 에미터 전위 장벽층이 형성되고, 상기 베이스층으로 핫-일렉트론을 투사하기 위한 상기 에미터 전위장벽층은, 적외선을 흡수하는 다양한 크기의 양자점 어레이 조합구조와, 상기 양자점 어레이 조합구조를 통과한 암전류를 감소시키는 블록킹 장벽층과, 그리고 상기 양자점 어레이 조합 구조내에서의 전압에 의한 전위 변화를 흡수하는 전위변화 흡수층으로 구성되고, 상기 콜렉터 전위 장벽층은 특정 주파수에 의해 여기된 전자들만을 통과시키는 공진터널링 이중장벽구조와, 상기 공진터널링 이중장벽 구조를 통과한 암전류를 감소시키는 블록킹 장벽층과, 그리고 상기 공진터널링 이중장멱 구조 내에서의 급격한 전위 변화를 흡수하는 전위변화 흡수층으로 구성된 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제1항에 있어서, 상기 콜렉터 전위 장벽층은 상기 공진터널링 이중장벽구조 위에 상기 베이스층을 투과한 전자에 의해 터널링이 일어나는 스페이서층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제1항에 있어서, 상기 양자점 어레이 조합구조는 수평, 수직 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제1항에 있어서, 상기 공진 터널링 이중장벽 구조 대신에 2개 이상의 양자 우물 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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5
제1항에 있어서, 상기 공진 터널링 이중장벽 구조 대신에 상기 양자점 어레이 조합구조를 사용한 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제1항에 있어서, 상기 전위 변화 흡수층은 스타크 쉬프트에 의한 준위들의 에너지 변화 및 이에 다른 빛의 흡수 주파수의 변화를 전위 변화 흡수층의 넓이에 조절하는 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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7
기판 위에 도전형의 콜렉터층, 베이서층, 및 에미터층이 순차로 형성되고, 상기 베이스층과 콜렉터층 사이에 콜렉터 전위 장벽층, 에미터층과 베이스층 사이에 에미터 전위 장벽층이 형성되고, 상기 베이스층으로 핫-일렉트론을 투사하기 위한 상기 에미터 전위장벽층은, 적외선을 흡수하는 다양한 크기의 양자점 어레이 조합 구조와, 상기 양자점 어레이 조합구조를 통과한 암전류를 감소시키는 블록킹 장벽층과, 그리고 상기 양자점 어레이 조합 구조내에서의 전압에 의한 전위 변화를 흡수하는 전위변화 흡수층으로 구성된 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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8
제7항에 있어서, 상기 양자점 어레이 조합구조는 수평, 수직 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제7항에 있어서, 상기 전위 변화 흡수층은 스타크 쉬프트에 의한 준위들의 에너지 변화 및 이에 따른 빛의 흡수 주파수의 변화를 전위 변화 흡수층의 넓이에 조절하는 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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10
기판 위에 도전형의 콜렉터층, 베이스층, 및 에미터층이 순차로 형성되고, 상기 베이스층과 콜렉터층 사이에 콜렉터 전위 장벽층, 에미터층과 베이스층 사이에 에미터 전위 장벽층이 형성되고, 상기 베이스층으로 핫-일렉트론을 투사하기 위한 상기 에미터 전위장벽층은, 외부전압의 인가에 의해 상기 에미너층에서 양자점 어레이 조합 구조안으로 전자의 터널링이 일어나는 스페이층과, 적외선을 흡수하는 다양한 크기의 양자점 어레이 조합 구조와, 상기 양자점 어레이 조합구조를 통과한 암전류를 감소시키는 블록킹 장벽층과, 그리고 상기 양자점 어레이 조합 구조내에서의 전압에 의한 전위 변화를 흡수하는 전위변화 흡수층으로 구성되고, 상기 콜렉터 전위 장벽층은 특정 주파수에 의해 여기된 전자들만을 통과시키는 공진 터널링 이중장벽구조와, 상기 공진터널링 이중장벽 구조를 통과한 암전류를 감소시키는 블록킹 장벽층과, 그리고 상기 공진터널링 이중장벽 구조 내에서의 급격한 전위 변화를 흡수하는 전위변화 흡수층으로 구성된 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제10항에 있어서, 상기 콜렉터 전위 장벽층은 상기 공진터널링 이중장벽구조 위에 강기 베이스층을 투과한 전자에 의해 터널링이 일어나는 스페이서층을 더 포함하는 것을 툭징으로 하는 고속 반도체 장치
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제10항에 있어서, 상기 양자점 어레이 조합구조는 수평, 수직 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제10항에 있어서, 상기 공진 터널링 이중장벽 구조 대신에 2개 이상의 양자 우물 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제10항에 있어서, 상기 공진 터널링 이중장별 구조 대신에 상기 양자점 어레이 조합구조를 사용한 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제10항에 있어서, 상기 전위 변화 흡수층은 스타크 쉬프트에 의한 준위들의 에너지 변화 및 이에 따른 빛의 흡수 주파수의 변화를 전위 변화 흡수층의 넓이에 조절하는 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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기판 위에 도전형의 콜렉터층, 베이스층, 및 에미터층이 순차로 형성되고, 상기 베이스층과 콜렉터층 사이에 콜렉터 전위 장벽층, 에미터층과 베이스층 사이에 에미터 전위 장벽층이 형성되고, 상기 베이스층으로 핫-일렉트론을 투사하기 위한 상기 에미터 전위장벽층은, 외부전압의 인가에 의해 상기 에미터층에서 양자점 어레이 조합 구조안으로 전자의 터널링이 일어나는 스페이층과, 적외선을 흡수하는 다양한 크기의 양자점 어레이 조합 구조와 , 상기 양자점 어레이 조합구조를 통과한 암전류를 감소시키는 블록킹 장벽층과, 그리고 상기 양자점 어레이 조합 구조내에서의 전압에 의한 전위 변화를 흡수하는 전위변화 흡수층으로 구성된 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제16항에 있어서, 상기 양자점 어레이 조합구조는 수평, 수직 조합으로 구성된 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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제16항에 있어서, 상기 전위 변화 흡수층은 스타크 쉬프트에 의한 준위들의 에너지 변화 및 이에 따른 빛의 흡수 주파수의 변화를 전위 변화 흡수층의 넓이에 조절하는 것을 특징으로 하는 고속 반도체 장치
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