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단결정 기판과; 단결정 기판상에 4각형의 마이크로스트립 선로와 이 마이크로스트립 선로에 연결된 제1 및 제2 포트와 제1 및 제2 정합단을 포함한 제1 결합기와; 상기 단결정 기판 상의 4각형의 마이크로스트립 선로와 이 마이크로스트립 선로의 모서리에 연결된 제3 및 제4 포트와제3 및 제4 정합단을 포함한 제2결합기와; 상기 제1 정합단과 제3 정합단 사이에 2개의 마이크로스트립선으로 형성된 제1대역통과필터와; 상기 제2 정합단과 제4 정합단 사이에 2개의 마이크로스트립선으로 셩헝된 제2 대역통과필터와; 및 상기 달결정 기판의 하부 표면에 이중금속막으로 형성된 접지판으로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서
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제1항에 있어서, 상기 단결정 기판은 MgO로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 결합기와 제1 및 제2 대역통과필터가 YBCO로 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서
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단결정 기판의 상부에 고온초전도를 증착하고 열처리하여 에피택셜 박박을 형성하는 제1공정과; 상기 에피택셜 박막의 상부를 세정하고 감광막을 형성하는 제2공정과; 상기 감광막을 패터닝하여 감광막 패턴을 형성하는 제3 공정과; 상기 감광막 패턴을 식각 마스클 이용하여 상기 에피택셜 박막의 노출된 부분을 제거하여유전막 패턴을 형성한 후 상기 감광막 패턴을 유지하면서 금전극을 제조하고, 소정 저항성분의 전극을 완벽히 만들고, 그외 부분들을 제거한는 제4공정과; 및 상기 단결정 기판의 하부 표면의 전자선 증발기를 사용하여 이중박막으로 이루어진 접지판을 형성하는제5공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플랙서의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1공정은 상기 단결정 기판을 습식식각 또는 ECR 이온 밀링하여 표면처리한 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제1공정은 에피택셜 박막을 펄스 레이저 증착법에 의해 YBCO의 고온초전도체로 형성 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서의 제조방법
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제4항 또는 제6항에 있어서, 상기 에피택셜 박막은 상기 YBCO를 증착챔버내의 압력을 가한 후 상기 단결정 기판을 소정 온도로 만들고 엑시머 레이저로 증착한 후 챔버에 소정 온도에서 산소를 주입하여 열처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서의제조 방법
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제4항에 잇어서, 상기 제3공정은 상기 감광막 패턴을 형성하기 위한 회로원판을 사용하여 노광하고 현상하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제4공정은 상기 유전막 패턴 형성후 남은 초전도 박막을 완전히 제거하기 위해 ECR이온밀링을 소정시간 행하는 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 제5공정은 이중박막을 Ti/Ag로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로파용 듀플렉서의 제조방법
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