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가변형 파장선택 시스템

  • 기술번호 : KST2015075793
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다수개의 파장을 사용하여 광통신 시스템의 광 수신부에서 다수 개의 파장의 신호 중에서 하나 또는 둘 이상의 원하는 파장의 신호를 분리해내는 가변형 파장 선택기에 관한 것으로, 광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 신호 중에서 일부 파장의 신호(λp1 - λpn : 1≤p≤m, p는 양의 정수)를 반사시키는 브라그 회절격자, 상기 브라그 회절격자를 통해 반사되는 상기 반사신호(λp1 - λpn)의 전달방향을 바꾸기 위한 방향성 광결합기, 상기 방향성 광결합기를 통해 전달되는 상기 반사신호(λp1 - λpn)를 입력단을 통해 입력받아 원하는 파장의 신호(λpk : 1≤k≤n, k는 양의 정수)만을 선택하여 출력단을 통해 출력하는 파장 가변 선택기, 및 상기 파장 가변 선택기에서 추출된 신호를 수신하는 수신부로 구성된 제1광신호 선택수단이 직렬로 m개 연결되므로써 구성되어서, 파장이 서로 다른 수많은 신호를 동시에 전송할 수 있다는 장점이 있다.
Int. CL G02B 26/06 (2006.01)
CPC H04Q 11/0001(2013.01) H04Q 11/0001(2013.01) H04Q 11/0001(2013.01)
출원번호/일자 1019960052612 (1996.11.07)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0198461-0000 (1999.03.02)
공개번호/일자 10-1998-0034529 (1998.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.11.07)
심사청구항수 48

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광노 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이경식 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 박무윤 대한민국 경기도 광명시 철산
4 이영탁 대한민국 대전광역시 서구
5 원용협 대한민국 대전광역시 유성구
6 추광욱 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178937-79
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178938-14
3 특허출원서
Patent Application		 1996.11.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178936-23
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178939-60
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178940-17
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0178941-52
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0466578-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.10 수리 (Accepted) 1-1-1999-5105606-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 광신호(λ11-λmn : m, n은 양의 정수)중에서 원하는 파장의 신호를 분리해내는 가변형 파장선택 시스템에 있어서, 상기 광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 신호중에서 일부 파장의 신호(λp1-λpn : 1≤p≤m, p는 양의 정수)를 반사시키는 브라그 회절격자, 상기 브라그 회절격자를 통해 반사되는 상기 반사신호(λp1-λpn)의 전달 방향을 바꾸기 위한 방향성 광결합기, 상기 방향성 광결합기를 통해 전달되는 상기 반사신호(λp1-λpn)를 입력단을 통해 입력받아 원하는 파장의 신호(λpk : 1≤k≤n, k는 양의 정수)만을 선택하여 출력단을 통해 출력하는 파장 가변 선택기, 및 상기 파장 가변 선택기에서 추출된 신호를 수신하는 수신부로 구성된 제1광신호 선택수단이 직렬로 m개 연결되므로써 구성되는 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

2 2

제1항에서, 상기 파장 가변 선택기는 파장 선택을 위한 제어신호를 발생시키는 제어부; 및 상기 제어신호에 응하여 입력되는 다파장의 신호 중에서 한 파장의 신호만을 추출하는 가변형 위상천이부로 구성된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

3 3

제2항에서, 상기 가변형 위상천이부는 파장 가변 선택기의 입력단에 위치하며, 특정한 파장의 신호만을 반사하는 입력단 브라그 회절격자; 상기 입력단 브라그 회절격자를 투과한 신호의 위상을 천이시키는 위상천이영역; 및 파장 가변 선택기의 출력단에 위치하여, 상기 위상천이영역을 통해 전달된 신호 중에서 특정한 파장의 신호만을 반사하는 출력단 브라그 회절격자로 구성된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

4 4

제3항에서, 위상천이영역은 상기 제어신호에 의해 스트레인이 발생하여 위상천이영역의 굴절률을 변화시키는 굴절률 변화수단이 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

5 5

제3항에서, 상기 위상천이영역은 전류에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

6 6

제3항에서, 상기 위상천이영역은 전압에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

7 7

제3항에서, 상기 위상천이영역은 온도에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

8 8

제3항에서, 상기 위상천이영역은 압력에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

9 9

제3항에서, 상기 위상천이영역은 자계에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

10 10

제3항에서, 상기 위상천이영역은 광탄성(photoelasticity) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

11 11

제3항에서, 상기 위상천이영역은 열광성(thermoopticity) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

12 12

제3항에서, 상기 위상천이영역은 케르(kerr) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

13 13

광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 광신호(λ11-λmn : m, n은 양의 정수)중에서 원하는 파장의 신호를 분리해내는 가변형 파장선택 시스템에 있어서, 상기 광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 신호를 동일한 전력으로 나누어서 분배하는 광출력 분배수단; 및 상기 광출력 분배수단을 통해 전달되는 다파장의 신호중에서 일부 파장의 신호(λp1-λpn : 1≤p≤m, p는 양의 정수)를 반사시키는 브라그 회절격자, 상기 브라그 회절격자를 통해 반사되는 상기 반사신호(λp1-λpn)의 전달 방향을 바꾸기 위한 방향성 광결합기, 상기 방향성 광결합기를 통해 전달되는 상기 반사신호(λp1-λpn)를 입력단을 통해 입력받아 원하는 파장의 신호(λpk : 1≤k≤n, k는 양의 정수)만을 선택하여 출력단을 통해 출력하는 파장 가변 선택기, 및 상기 파장 가변 선택기에서 추출된 신호를 수신하는 수신부로 구성된 제1광신호 선택수단이 병렬로 m개 연결되므로써 구성되는 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

14 14

제13항에서, 상기 파장 가변 선택기는 파장 선택을 위한 제어신호를 발생시키는 제어부; 및 상기 제어신호에 응하여 입력되는 다파장의 신호 중에서 한 파장의 신호만을 추출하는 가변형 위상천이부로 구성된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

15 15

제14항에서, 상기 가변형 위상천이부는 파장 가변 선택기의 입력단에 위치하며, 특정한 파장의 신호만을 반사하는 입력단 브라그 회절격자; 상기 입력단 브라그 회절격자를 투과한 신호의 위상을 천이시키는 위상천이영역; 및 파장 가변 선택기의 출력단에 위치하여, 상기 위상천이영역을 통해 전달된 신호 중에서 특정한 파장의 신호만을 반사하는 출력단 브라그 회절격자로 구성된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

16 16

제15항에서, 상기 위상천이영역은 상기 제어신호에 의해 스트레인이 발생하여 위상천이영역의 굴절률을 변화시키는 굴절률 변화수단이 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

17 17

제15항에서, 상기 위상천이영역은 전류에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

18 18

제15항에서, 상기 위상천이영역은 전압에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

19 19

제15항에서, 상기 위상천이영역은 온도에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

20 20

제15항에서, 상기 위상천이영역은 압력에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

21 21

제15항에서, 상기 위상천이영역은 자계에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

22 22

제15항에서, 상기 위상천이영역은 광탄성(photoelasticity) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

23 23

제15항에서, 상기 위상천이영역은 열광성(thermoopticity) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

24 24

제15항에서, 상기 위상천이영역은 케르(kerr) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

25 25

광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 광신호(λ11-λmn : m, n은 양의 정수)중에서 원하는 파장의 신호를 분리해내는 가변형 파장선택 시스템에 있어서, 상기 광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 신호를 입력단을 통해 입력받아 원하는 파장의 신호(λpk : 1≤p≤m, 1≤k≤n, p와 k는 양의 정수)와 원하는 파장의 신호가 들어있는 블록 외의 블록의 신호(λq1-λqn : 1≤q≤m, q≠p, q는 양의 정수)를 모두 통과시켜서 출력단을 통해 출력하는 파장 가변 선택기, 상기 파장 가변 선택기를 투과한 신호중에서 원하는 신호(λpk)만을 반사시키는 브라그 회절 격자, 상기 브라그 회절격자를 통해 반사되는 상기 신호(λpk)의 전달방향을 바꾸기 위한 방향성 광결합기, 및 상기 방향성 광결합기를 통해 전달되는 상기 신호(λpk)를 수신하는 수신부로 구성되는 제2광신호 선택수단이 직렬로 m개 연결되므로써 구성되는 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

26 26

제25항에서, 상기 파장 가변 선택기는 파장 선택을 위한 제어신호를 발생시키는 제어부; 및 상기 제어신호에 응하여 입력되는 다파장의 신호 중에서 한 파장의 신호만을 추출하는 가변형 위상천이부로 구성된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

27 27

제26항에서, 상기 가변형 위상천이부는 파장 가변 선택기의 입력단에 위치하며, 특정한 파장의 신호만을 반사시키는 입력단 브라그 회절격자; 상기 입력단 브라그 회절격자를 투과한 신호의 위상을 천이시키는 위상천이영역; 및 파장 가변 선택기의 출력단에 위치하여, 상기 위상천이영역을 통해 전달된 신호 중에서 특정한 파장의 신호만을 반사하는 출력단 브라그 회절격자로 구성된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

28 28

제27항에서, 상기 위상천이영역은 상기 제어신호에 의해 스트레인이 발생하여 위상천이영역의 굴절률을 변화시키는 굴절률 변화수단이 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

29 29

제27항에서, 상기 위상천이영역은 전류에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

30 30

제27항에서, 상기 위상천이영역은 전압에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

31 31

제27항에서, 상기 위상천이영역은 온도에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

32 32

제27항에서, 상기 위상천이영역은 압력에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

33 33

제27항에서, 상기 위상천이영역은 자계에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

34 34

제27항에서, 상기 위상천이영역은 광탄성(photoelasticity) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

35 35

제27항에서, 상기 위상천이영역은 열광성(thermoopticity) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

36 36

제27항에서, 상기 위상천이영역은 케르(kerr) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

37 37

광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 광신호(λ11-λmn : m, n은 양의 정수)중에서 원하는 파장의 신호를 분리해내는 가변형 파장선택 시스템에 있어서, 다파장의 광신호(λ11-λmn : m, n은 양의 정수)를 전달하는 광신호 전달수단; 상기 광신호 전달수단을 통해 전달되는 다파장의 신호를 동일한 전력으로 나누어서 분배하는 광출력 분배수단; 및 상기 광출력 분배수단을 통해 전달되는 다파장의 신호를 입력단을 통해 입력받아 원하는 파장의 신호(λpk : 1≤p≤m, 1≤k≤n, p와 k는 양의 정수)와 원하는 파장의 신호가 들어있는 블록 외의 블록의 신호(λq1-λqn : 1≤q≤m, q≠p, q는 양의 정수)를 모두 통과시켜서 출력단을 통해 출력하는 파장 가변 선택기, 상기 파장 가변 선택기를 투과한 신호중에서 원하는 신호(λpk)만을 반사시키는 브라그 회절 격자, 상기 브라그 회절격자를 통해 반사되는 상기 신호(λpk)의 전달방향을 바꾸기 위한 방향성 광결합기, 및 상기 방향성 광결합기를 통해 전달되는 상기 신호(λpk)를 수신하는 수신부로 구성되는 제2광신호 선택수단이 병렬로 m개 연결되므로써 구성되는 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

38 38

제37항에서, 상기 파장 가변 선택기는 파장 선택을 위한 제어신호를 발생시키는 제어부; 및 상기 제어신호에 응하여 입력되는 다파장의 신호 중에서 한 파장의 신호만을 추출하는 가변형 위상천이부로 구성된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

39 39

제38항에서, 상기 가변형 위상천이부는 파장 가변 선택기의 입력단에 위치하며, 특정한 파장의 신호만을 반사시키는 입력단 브라그 회절격자; 상기 입력단 브라그 회절격자를 투과한 신호의 위상을 천이시키는 위상천이영역; 및 파장 가변 선택기의 출력단에 위치하여, 상기 위상천이영역을 통해 전달된 신호 중에서 특정한 파장의 신호만을 반사하는 출력단 브라그 회절격자로 구성된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

40 40

제39항에서, 상기 위상천이영역은 상기 제어신호에 의해 스트레인이 발생하여 위상천이영역의 굴절률을 변화시키는 굴절률 변화수단이 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

41 41

제39항에서, 상기 위상천이영역은 전류에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

42 42

제39항에서, 상기 위상천이영역은 전압에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

43 43

제39항에서, 상기 위상천이영역은 온도에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

44 44

제39항에서, 상기 위상천이영역은 압력에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

45 45

제39항에서, 상기 위상천이영역은 자계에 의해서 위상천이를 일으킬 수 있는 물질이 삽입된 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

46 46

제39항에서, 상기 위상천이영역은 광탄성(photoelasticity) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

47 47

제39항에서, 상기 위상천이영역은 열광성(thermoopticity) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

48 48

제39항에서, 상기 위상천이영역은 케르(kerr) 계수가 큰 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 파장선택 시스템

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.