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실리콘 기판 상부에 실리사이드를 증착하는 단계와, 상기 실리사이드 상부에 내화 금속 질화물을 증착하는 단계와, 상기 내화 금속 질화물 상부에 배선 금속을 증착하는 단계와, 열처리 공정을 실시하여 상기 실리사이드 및 내화 금속 질화물 사이에 삼원계 확산 방지막을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 실리사이드는 내화 금속계인 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 내화 금속 질화물은 TiN, TaN 및 WN 중 어느 하나로 이루어지며,상기 삼원계 확산 방지막은 내화 금속 질화물과 실리사이드 내의 Si와 반응하여 Ti-Si-N, Ta-Si-N 및 W-Si-N와 같은 삼원계 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 배선 금속은 알루미늄 및 구리 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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실리콘 기판 상부에 내화 금속 질화물을 증착하는 단계와, 상기 내화 금속 질화물 상부에 배선 금속을 저온 증착하는 단계와, 상기 실리콘 기판 상부에 실리사이드가 형성됨과 동시에 상기 내화 금속 질화물 및 상기 실리사이드 사이에 삼원계 확산 방지막이 형성되도록 열처리 공정을 실시하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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제5항에 있어서, 상기 배선 금속은 알루미늄 및 구리 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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실리콘 기판 상부에 내화 금속을 증착하는 단계와, 상기 내화 금속을 열변환하여 실리콘 기판 상부에 실리사이드와 내화 금속 질화물을 동시에 형성하는 단계와, 상기 내화 금속 질화물 상부에 배선 금속을 저온 증착하는 단계와, 열처리 공정을 실시하여 상기 실리사이드 및 내화 금속 질화물 사이에 삼원계 확산 방지막을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 내화 금속은 Ti, Ta, W 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 열변환은 질소 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 배선 금속은 알루미늄 및 구리 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 삼원계 확산 방지막 형성 방법
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