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반도체 광 증폭기

기술번호 : KST2015075799
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 편광 의존성이 없는 이득 특성을 갖는 1.55 ㎛ 파장의 광 증폭을 위하여 2중 In0.53Ga0.47As 양자 우물층 사이에 In1-xGaxAs(x>0.47) 초박막층으로 이루어진 활성층을 하나 형성하거나 이 활성층을 벽층으로 분리하여 다수로 형성하므로써 편광에 무관한 이득 특성을 가지므로 광통신 및 광통신 관련 분야의 핵심 부품으로 사용할 수 있는 반도체 광 증폭기가 제시된다.
Int. CL	H01L 31/10 (2006.01)
CPC	H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01) H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자	1019960052621 (1996.11.07)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0233839-0000 (1999.09.14)
공개번호/일자	10-1998-0034538 (1998.08.05) 문서열기
공고번호/일자	(19991201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (1996.11.07)
심사청구항수	31

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이규석	대한민국	대전광역시 서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)
2	최승민	대한민국	서울특별시 중구 통일로 *, 에이스타워 층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	1996.11.07	수리 (Accepted)	1-1-1996-0178977-95
2	출원심사청구서 Request for Examination	1996.11.07	수리 (Accepted)	1-1-1996-0178979-86
3	대리인선임신고서 Notification of assignment of agent	1996.11.07	수리 (Accepted)	1-1-1996-0178978-30
4	출원인정보변경 (경정)신고서 Notification of change of applicant's information	1997.03.12	수리 (Accepted)	1-1-1996-0178980-22
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	1999.03.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-1999-0091415-46
6	의견서 Written Opinion	1999.05.21	수리 (Accepted)	1-1-1999-5191747-04
7	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	1999.05.21	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-1999-5191748-49
8	등록사정서 Decision to grant	1999.06.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-1999-0210526-19
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2001.04.19	수리 (Accepted)	4-1-2001-0046046-20
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2002.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2002-0065009-76
11	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)	2008.11.06	수리 (Accepted)	1-1-2008-5055003-22
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제공된 기판과, 상기 기판 상부에 형성된 상기 기판과 격자 정합하는 제 1 버퍼층과, 상기 제 1 버퍼층 상부에 상기 기판과 격자 정합하는 제 1 양자 우물층과, 상기 제 1 양자 우물층 상부에 형성된 신장 변형된 초박막층과, 상기 신장 변형된 초박막층 상부에 형성된 상기 기판과 격자 정합하는 제 2 양자 우물층과, 상기 제 2 양자 우물층 상부에 형성된 상기 기판과 격자 정합하는 제 2 버퍼층과, 상기 제 2 버퍼층 상부에 형성된 캡층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
2	2 제1항에 있어서, 상기 기판은 InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
3	3 제1항에 있어서, 상기 제 1 버퍼층은 InGaAsP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
4	4 제1항에 있어서, 상기 제 1 양자 우물층은 4 내지 6 nm 두께의 In0
5	5 제1항에 있어서, 상기 초박막층은 0
6	6 제1항에 있어서, 상기 제 2 양자 우물층은 4 내지 6 nm 두께의 In0
7	7 제1항에 있어서, 상기 제 1 양자 우물층, 초박막층 및 제 2 양자 우물층은 활성층을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
8	8 제1항에 있어서, 상기 제 1 양자 우물층 및 제 2 양자 우물층은 대칭 및 비대칭 구조중 어느 하나의 구조에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
9	9 제1항에 있어서, 상기 제 2 버퍼층은 InGaAsP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
10	10 제1항에 있어서, 상기 캡층은 InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
11	11 제1항에 있어서, 상기 제 1 양자 우물층, 제 2 양자 우물층 및 그 사이의 초박막층에 의해 중양공 및 경양공의 부띠 에너지를 조정하는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
12	12 제공된 기판과, 상기 기판 상부에 형성된 상기 기판과 격자 정합하는 제 1 버퍼층과, 상기 제 1 버퍼층 상부에 형성된 제 1 활성층과, 상기 제 1 활성층 상부에 형성된 상기 기판과 격자 정합하는 벽층과, 상기 벽층 상부에 형성된 제 2 활성층과, 상기 제 2 활성층 상부에 형성된 상기 기판과 격자 정합하는 제 2 버퍼층과, 상기 제 2 버퍼층 상부에 형성된 캡층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
13	13 제12항에 있어서, 상기 기판은 InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
14	14 제12항에 있어서, 상기 제 1 버퍼층은 InGaAsP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
15	15 제12항에 있어서, 상기 제 1 활성층은 상기 기판과 격자 정합하는 제 1 양자 우물층과, 상기 제 1 양자 우물층 상부에 형성된 신장 변형된 제 1 초박막층과, 상기 제 1 초박막층 상부에 형성된 상기 기판과 격자 정합하는 제 2 양자 우물층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
16	16 제15항에 있어서, 상기 제 1 양자 우물층은 4 내지 6nm 두께의 In0
17	17 제15항에 있어서, 상기 제 1 초박막층은 0
18	18 제15항에 있어서, 상기 제 2 양자 우물층은 4 내지 6nm 두께의 In0
19	19 제15항에 있어서, 상기 제 1 양자 우물층 및 제 2 양자 우물층은 대칭 구조 및 비대칭 구조중 어느 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
20	20 제12항에 있어서, 상기 벽층은 InGaAsP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
21	21 제12항에 있어서, 상기 제 2 활성층은 상기 기판과 격자 정합하는 제 3 양자 우물층과, 상기 제 3 양자 우물층 상부에 형성된 신장 변형된 제 2 초박막층과, 상기 제 2 초박막층 상부에 형성된 상기 기판과 격자 정합하는 제 3 양자 우물층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
22	22 제21항에 있어서, 상기 제 3 양자 우물층은 4 내지 6nm 두께의 In0
23	23 제21항에 있어서, 상기 제 2 초박막층은 0
24	24 제21항에 있어서 상기 제 4 양자 우물층은 4 내지 6nm 두께의 In0
25	25 제21항에 있어서, 상기 제 3 양자 우물층 및 제 4 양자 우물층은 대칭 및 비대칭 구조중 어느 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
26	26 제12항에 있어서, 상기 제 2 버퍼층은 InGaAsP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
27	27 제12항에 있어서, 상기 캡층은 InP로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
28	28 제12항에 있어서, 상기 제 1 활성층 및 제 2 활성층은 대칭 구조 및 비대칭 구조중 어느 하나의 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
29	29 제12항에 있어서, 상기 제 1 활성층 및 제 2 활성층은 벽층에 의해 분리되어 다수로 구성될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
30	30 제12항에 있어서, 상기 제 1 양자 우물층과 제 2 양자 우물층 및 그 사이의 제 1 초박막층에 의해 중양공 및 경양공의 부띠 에너지가 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기
31	31 제12항에 있어서, 상기 제 3 양자 우물층과 제 4 양자 우물층 및 그 사이의 제 2 초박막층에 의해 중양공 및 경양공의 부띠 에너지가 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 광 증폭기

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0233839-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 19961107 출원 번호 : 1019960052621 공고 연월일 : 19991201 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 19990630 청구범위의 항수 : 31 유별 : H01L 31/10 발명의 명칭 : 반도체 광 증폭기 존속기간(예정)만료일 : 20080915

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	1,071,000 원	1999년 09월 15일	납입
제 4 년분	금 액	1,111,000 원	2002년 08월 30일	납입
제 5 년분	금 액	1,111,000 원	2003년 09월 01일	납입
제 6 년분	금 액	835,000 원	2004년 08월 31일	납입
제 7 년분	금 액	1,453,000 원	2005년 08월 31일	납입
제 8 년분	금 액	1,360,000 원	2006년 08월 30일	납입
제 9 년분	금 액	1,360,000 원	2007년 08월 31일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	1996.11.07	수리 (Accepted)	1-1-1996-0178977-95
2	출원심사청구서	1996.11.07	수리 (Accepted)	1-1-1996-0178979-86
3	대리인선임신고서	1996.11.07	수리 (Accepted)	1-1-1996-0178978-30
4	출원인정보변경 (경정)신고서	1997.03.12	수리 (Accepted)	1-1-1996-0178980-22
5	의견제출통지서	1999.03.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-1999-0091415-46
6	의견서	1999.05.21	수리 (Accepted)	1-1-1999-5191747-04
7	명세서등보정서	1999.05.21	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-1999-5191748-49
8	등록사정서	1999.06.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-1999-0210526-19
9	출원인정보변경(경정)신고서	2001.04.19	수리 (Accepted)	4-1-2001-0046046-20
10	출원인정보변경(경정)신고서	2002.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2002-0065009-76
11	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2008.11.06	수리 (Accepted)	1-1-2008-5055003-22
12	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
13	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

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