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AL과 ALCU 박막의 건식식각시 부식방지를 위한 금속배선용 박막 의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015075803
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속배선용 박막의 형성방법에 관한 것으로, 특히, 반도체 소자의 금속배선용 박막으로 사용되는 알루미늄(Al)과 알루미늄/구리(AlCu)박막의 건식식각시 부식을 방지할 수 있는 금속배선용 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속배선용 박막의 형성방법은, 반도체 제조공정중 금속배선공정에 있어서, 유기금속화학기상증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD)법에 의해 반도체 기판(1)상에 알루미늄 또는 알루미늄/구리의 단결정 금속박막을 증착하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면, 금속배선용 박막의 건식식각후, 금속배선(5a)의 단면 형상이 종래기술과 달리 미끈하며, 건식식각후에도 금속배선(5a)이 전혀 부식되지 않으므로, 금속박막의 일렉트로마이그레이션(electro-migration)현상을 억제하는 효과를 가져와, 배선의 전기적 신뢰성에 매우 좋은 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/32138(2013.01) H01L 21/32138(2013.01)
출원번호/일자 1019960055693 (1996.11.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0238438-0000 (1999.10.13)
공개번호/일자 10-1998-0037011 (1998.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.11.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대한민국 대전광역시 유성구
2 백규하 대한민국 대전광역시 유성구
3 권광호 대한민국 대전광역시 유성구
4 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
5 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0188567-68
2 특허출원서
Patent Application
1996.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0188566-12
3 출원심사청구서
Request for Examination
1996.11.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0188568-14
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.03.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0188569-59
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0188570-06
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1999.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5108153-69
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0093431-13
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.05.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5195495-86
9 의견서
Written Opinion
1999.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-5195490-58
10 등록사정서
Decision to grant
1999.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0250316-65
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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반도체 제조공정중 금속배선공정에 있어서,

유기금속화학기상증착(MOCVD)법에 의해 반도체 기판 상에 알루미늄 또는 알루미늄과 구리의 혼합 금속막을 단결정 금속박막으로 증착하는 과정을 포함하여, 상기 금속박막의 건식식각시 화학반응에 의한 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는, 금속 배선용 박막의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.