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단 전자 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015075840
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 2차원 전자 가스 층을 유한한 곳에 국한시킬 수 있는 구조를 제공하여 전자 가스를 효과적으로 제어할 수 있고, 소자의 전기적 특성을 향상 시킬 수 있는 단 전자 트랜지스터(Single Electron Transistor) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 통상적으로 사용되는 단 전자 트랜지스터의 구조에서 기판과 전자 공급층 사이에 저온 성장 완충층 및 고온 성장 완충층을 적층하여 이중으로 완충층을 형성하는 것에 관한 것이다. 여기서 저온 성장 완충층은 단전자 트랜지스터를 에피택셜 방법에 의해 성장할 때 기판 위에 처음으로 섭씨 400도 이하에서 도핑하지 않은 갈륨 비소로 성장하고 그 후 비소 분위기에서 섭씨 600도 이상으로 가열하여 재결정화하여 었을 수 있다. 이렇게 하여 얻은 완충층의 성질은 고 저항성 특성을 가지므로, 단전자 트랜지스터의 구조에서 완충층에 형성된 전자 가스층에 제어 전압을 인가할 때 전자층의 확산을 효과적으로 차폐할 수 있어서 소자의 제어성을 향상 시킬 수 있고 동작 범위를 명확히 할 수 있는 특성을 갖는다.
Int. CL H01L 29/775 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1019960061698 (1996.12.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0043739 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.04)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재진 대한민국 대전광역시 유성구
2 이해권 대한민국 대전광역시 유성구
3 문재경 대한민국 대전광역시 서구
4 김민건 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0206297-58
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0206299-49
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0206298-04
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0206300-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0105093-11
6 출원포기서
Abandonment of Application		 1999.05.31 수리 (Accepted) 1-1-1999-5204199-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판과, 상기 기판 표면의 결함을 차단하고 전기적으로는 고 저항성을 갖는 완충층과, 이종의 반도체 재료 접합으로 형성된 이차원 전자 가스 층이 차례로 적층된 구조를 포함하는 단 전자 트랜지스터에 있어서,

상기 완충층은 400℃ 이하의 저온에서 에피택셜 성장시킨 제1 비도핑 갈륨-비소층과, 600℃ 이상의 고온에서 에피택셜 성장시킨 제2 비도핑 갈륨-비소층을 포함하여 이루어진 단 전자 트랜지스터

2 2

갈륨-비소의 기판 상에 400℃ 이하의 저온에서 제1 비도핑 갈륨-비소층을 에피택셜 성장시키는 단계;

열처리하여 상기 제1 비도핑 갈륨-비소층에 결정화하는 단계; 및

상기 결정화된 제1 비도핑 갈륨-비소층 상에 600℃ 이상의 고온에서 제2 비도핑 갈륨-비소층을 에피택셜 성장시키는 단계를 포함하여,

이중의 완충층을 형성하는 단 전자 트랜지스터 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.