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집적회로에 내장되는 공급전원 지연회로에 있어서, 공급전압 VDD를 입력받아 충전하는 수단; 전류를 공급하는 수단; 상기 충전수단의 출력 값을 반전시키는 수단; 상기 반전수단의 출력 값에 의해 제어되어 상기 전류공급수단의 출력을 스위칭하는 스위칭수단; 상기 스위칭수단의 제어를 받아 상기 충전수단의 출력 값을 방전시키는 전류반복수단; 상기 반전수단의 출력값에 의해 제어되어 상기 충전수단의 출력 값을 접지전위로 변환시키는 전위 값 변환수단; 및 상기 반전수단의 출력값을 입력받아 반전, 비반전된 신호를 출력하는 버퍼링수단을 구비한 공급전원 지연회로
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제1항에 있어서, 상기 충전수단은, 공급전압 VDD를 게이트 전극에 입력받고, 소오스/드레인 영역이 상호 결합된 기생 커패시턴스에 의해 실제적으로 공급전압 VDD의 레벨로 충전시키는 PMOS 트랜지스터를 포함한 것을 특징으로 하는 공급전원 지연회로
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제1항에 있어서, 상기 전류공급수단은, 드레인 영역의 출력을 게이트 전극에 연결시켜 공급전압 VDD를 소오스 영역으로 입력받아 전류를 공급하는 PMOS 트랜지스터를 포함한 것을 특징으로 하는 공급전원 지연회로
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제1항에 있어서, 상기 스위칭수단은, 상기 반전수단의 출력값을 게이트 전극에 입력받아 제어되며, 상기 전류공급수단의 출력을 상기 전류반복수단에 제공하는 PMOS 트랜지스터를 포함한 것을 특징으로 하는 공급전원 지연회로
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제1항에 있어서, 상기 전류반복수단은, 상기 스위칭수단의 출력을 게이트 전극에 입력받아 제어되며, 상기 충전수단의 출력을 접지전위로 방전시키는 제1NMOS 트랜지스터, 및 상기 스위칭수단의 출력을 게이트 전극에 입력받아 제어되며, 상기 스위칭수단의 출력을 접지전위로 방전시키는 제2NMOS 트랜지스터를 포함한 것을 특징으로 하는 공급전원 지연회로
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제1항에 있어서, 상기 전위 값 변환수단은, 상기 반전수단의 출력 값을 게이트 전극에 입력받아 제어되며, 상기 충전수단의 출력 값을 접지전위로 변환시키는 NMOS 트랜지스터를 포함한 것을 특징으로 하는 공급전원 지연회로
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제6항에 있어서, 상기 충전수단에 충전된 전류의 방전되는 전류의 크기는, 상기 전류공급수단인 PMOS 트랜지스터의 크기와 상기 전류반복수단인 제1 및 제2NMOS 트랜지스터의 크기 및 전원 전압 VDD에 의해 결정되도록 구성된 것을 특징으로 하는 공급전원 지연회로
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제1항에 있어서, 상기 버퍼링수단은, 두개의 인버터를 구비하여 반전 및 비반전 신호를 출력하는 CMOS 인버터를 포함한 것을 특징으로 하는 공급전원 지연회로
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제7항에 있어서, 상기 충전수단에 의해 충전된 전압 값이 NMOS 트랜지스터와 PMOS 트랜지스터로 구성된 상기 반전수단의 NMOS 트랜지스터의 문턱 전압과 같아지는 시점까지 지연되도록 구성된 것을 특징으로 하는 공급전원 지연회로
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