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반도체 장치의 미세 금속 구조물 형성방법

  • 기술번호 : KST2015075888
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 장치 제조방법2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제종래의 금속 구조물 형성시 희생층을 금속으로 형성함으로써 매우 제한된 습식 식각 공정(예를 들면 KOH를 사용한 습식 식각)만을 사용하게 되며, 이로 인하여 공정자유도를 제한하고, 공정 단계의 단순화를 저해하며, 또한 습식 용액의 표면 장력으로 인하여 금속 구조물이 기판 표면에 달라 붙는 현상이 빈번하여 제조 공정상의 수율을 저하시키는 문제점이 있었음.3. 발명의 해결방법의 요지본 발명은 도전성 고분자 재료를 사용하여 희생층을 형성하고, 이후 이를 건식식각을 사용하여 제거함으로써 공정 자유도를 높이고, 공정 단계를 간소화하며, 가동금속 구조물이 기판 표면에 달라 붙는 현상을 방지하여 반도체 장치의 수율을 향상시키는 반도체 장치의 미세 금속 구조물 형성방법을 제공하고자 함.4. 발명의 중요한 용도미세 가동 금속 구조물 형성에 이용됨.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC G01R 1/06727(2013.01)
출원번호/일자 1019960058510 (1996.11.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0216577-0000 (1999.05.31)
공개번호/일자 10-1998-0039486 (1998.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (19990816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.11.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용권 대한민국 서울특별시 강남구
2 백창욱 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 이종현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0196756-23
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0196758-14
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0196757-79
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1996-0196759-60
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0094352-83
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

소정의 하부층이 형성된 반도체 기판상에 도전성 고분자 재료를 사용하여 희생층을 형성하고, 이를 선택 식각하여 금속 구조물 형성을 위한 희생층 패턴을 형성하는 단계;

고분자 재료를 사용하여 금속 구조물 형성을 위한 주형을 형성하는 단계;

상기 주형 내에 금속층을 형성하는 단계;

상기 희생층 패턴 및 상기 주형을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 미세 금속 구조물 형성방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 금속층은 전해도금법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 미세 금속 구조물 형성방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 주형은 비도전성 고분자 재료를 사용하여 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 미세 금속 구조물 형성방법

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 도전성 고분자 재료는 폴리아닐린인 것을 특징으로하는 반도체 장치의 미세 금속 구조물 형성방법

5 5

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 희생층 패턴 및 상기 주형을 제거하는 단계는 건식 식각을 수행하여 이루어진 것을 특징으로하는 반도체 장치의 미세 금속 구조물 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.