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InGa(A1)As계 고전자 이동도 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015075933
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 InP를 기판으로 사용한 InGa(Al)As 고전자 이동도 트랜지스터 소자제작을 위한 소자구조의 완충층에서 일반적으로 격자상수를 맞추기 위해 In의 조성을 InGaAs일경우 53%, InAlAs일 경우 52%로 유지하고 있으나 완충층의 In 조성을 점차적으로 변화시켜 격자불일치를 극복하고 In의 조성을 높여 전도층의 In조성을 원하는만큼 높일 수 있는 구조에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/20 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1019960062613 (1996.12.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0044520 (1998.09.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.06)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해권 대한민국 충청남도 부여군
2 이재진 대한민국 대전광역시 유성구
3 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209211-68
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209210-12
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.06 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209212-14
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0209213-59
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0008423-87
6 출원포기서
Abandonment of Application		 1999.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1999-5116001-71
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판상에 완충층과 전도층이 차례로 에피택셜 성장된 구조를 갖는 InGa(Al)As계 고전자 이동도 트랜지스터에 있어서,

In이 전도층에 가까울수록 선형적으로 점차 높은 조성을 가지도록 성장된 InAlAs의 완충층; 및

In의 조성이 적어도 85% 이상의 농도를 가지는 InGaAs 전도층을 포함하여 구성되는 InGa(Al)As계 고전자 이동도 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서,

상기 기판은 InP임을 특징으로 하는 InGa(Al)As계 고전자 이동도 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.