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마이크로 자이로스코프의 제작방법

  • 기술번호 : KST2015075955
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 미세 가공(surface micromachining) 기술을 이용한 마이크로 자이로스코프(micro gyroscope) 제작방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기존의 구조체 재료인 다결정 실리콘(polysilicon)에서 나타나는 응력을 해소하여 구조체가 변형되는 것을 방지하고, 또한 센서의 구동 및 감지를 위한 반도체 IC 회로의 제작 과정에서 발생할 수 있는 열공정(thermal process)의 호환성 문제, 금속배선의 어려움 및 진공 밀봉(vacuum seal)의 복잡함을 해결하고자 한다. 이에 따른 본 발명은 응력이 없는 구조체로서 기존의 다결정 실리콘 대신 SOI(Silicon On Insulator) 상부의 단결정 실리콘을 이용하고, 구동 및 감지를 위한 반도체 IC회로는 별도의 웨이퍼에 제작한 후 이를 구조체 위에 접착(bonding) 함으로써 열공정(thermal process)의 호환성, 금속 배선 및 진공 밀봉 문제를 해결할 수 있다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01)
CPC H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01) H01L 25/16(2013.01)
출원번호/일자 1019960068954 (1996.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0231711-0000 (1999.08.31)
공개번호/일자 10-1998-0050175 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
2 장원익 대한민국 대전광역시 유성구
3 이용일 대한민국 대전광역시 유성구
4 유형준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228523-98
2 출원심사청구서
Request for Examination
1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228524-33
3 특허출원서
Patent Application
1996.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228522-42
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228525-89
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.28 수리 (Accepted) 1-1-1996-0228526-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0014689-00
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1999.03.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-5111862-93
8 의견서
Written Opinion
1999.03.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-5126774-13
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.03.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5126778-06
10 등록사정서
Decision to grant
1999.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0197228-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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표면 미세 가공 기술을 이용한 마이크로 자이로스코프(micro gyroscope) 센서의 제작 방법에 있어서, SOI 기판의 하부 실리콘(41) 위에 SOI 기판의 상부 실리콘(31)인 단결정 실리콘 구조체를 제작하기 위해 식각 마스크 역할을 하는 SOI 기판의 희생층 산화막(35)을 증착한 후 리소그래피 공정으로 그 산화막에 구조체 패턴을 형성하는 공정(A,B); 반응성 이온 식각(RIE) 공정에 의해 실리콘 결정에 구조체를 형성한 후 상기 SOI 기판의 희생층 산화막(35)까지 식각하는 공정(C); 무수 불산과 메탄올이 포함된 기상 식각(GPE) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판(41) 위에 노출된 희생층 산화막(35)을 제거하여 하부에 공간을 형성하고, 진공 밀봉용 배선(39)을 수행하는 공정(D); 별도의 실리콘 기판(40) 위에 전기적 절연을 위해 열산화막(33), 질화막(34) 및 하부 전극(36)을 순서적으로 증착하는 공정(E, F); 상기 구조체의 구동 및 신호처리를 위한 주변 회로(37)를 동일 웨이퍼(40) 위에 제작하고, 그 형성된 구조체와 주변 회로(37)에 연결하기 위한 배선(38)과 상기 자이로스코프 센서를 진공 밀봉하기 위한 배선(39)을 수행하는 공정(G,H); 및 상기 공정(A∼D)에 의해 제작된 실리콘 구조체와 상기 공정(E∼H)에 의해 별도의 일반 웨이퍼에서 제작된 주변 회로의 각 전극 패턴을 정렬한 후, 회로 연결 및 밀봉을 위하여 배선된 전극끼리 서로 접착하는 공정(I, J)으로 제작하여, 실리콘 구조체의 잔류 응력에 의한 변형이 작게 하고, 그 구조체의 수명을 길게 한 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프의 제작방법

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패밀리정보가 없습니다
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