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전계 방출 디스플레이

  • 기술번호 : KST2015075964
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로, 하나의 절연성 기판 위에 화소 어레이와 스캔 및 데이터 구동회로가 집적화되어 있는 전계 에미터 패널을 제공하여, 고화질 및 고밀도의 전계 방출 디스플레이를 저 가격으로 제공하고자 한다. 본 발명에서는 상기 화소 어레이의 전계방출소자를 절연성 기판 위에 형성된 실리콘 전계방출소자로 구성함으로써, 상기 스캔 구동 회로 및 데이터 구동회로의 기본회로로 사용되는 상보형 다결정실리콘 박막트랜지스터를 상기 화소 어레이가 형성되어 있는 기판에 쉽게 집적화시킬 수 있다. 또한, 상기 화소 어레이의 각 화소에 하나의 고전압 박막트랜지스터를 부착시키고, 디스플레이의 신호를 상기 고전압 박막트랜지스터를 통해 인가함으로써 상기 스캔 및 데이터 구동회로의 저전압화가 가능하고, 아울러 고전압이 아닌 통상의 구동전압에서 고속으로 동작하는 상보형 다결정 박막트랜지스터로 상기 스캔 및 데이터 구동회로를 보다 쉽게 구현할 수 있다.
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960069791 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0233254-0000 (1999.09.10)
공개번호/일자 10-1998-0050943 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전광역시 서구
2 이진호 대한민국 대전광역시 유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시 유성구
4 유형준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 아이피지 일렉트로닉스 502 리미티드 영국, 지와이* *큐엘 건지, 세인트 피터 포트, 레 방케스, 트라팔가 코트, 피. 오. 박스
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231165-16
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231164-71
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231166-62
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231167-18
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.08.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1996-0231168-53
6 등록사정서
Decision to grant		 1999.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0212759-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

서로 평행하게 진공 패키징된 상판과 하판을 구비하는 전계 방출 디스플레이에 있어서, 화소 어레이를 구동하기 위한 스캔 구동회로 및 데이터 구동회로; 자신의 게이트가 어레이 전체적으로 공통 접속되는 다수의 전계 방출 소자와, 상기 전계 방출 소자의 에미터 전극에 일측 단자가 접속되고 상기 스캔 구동회로에 게이트가 접속되며 상기 데이터 구동회로에 타측 단자가 접속된 박막트랜지스터로 구성된 화소가 행열 형태로 배열된 화소 어레이를 포함하고, 상기 스캔구동회로, 상기 데이터구동회로, 및 상기 화소 어레이를 동일한 상기 하판 상에 집적화하여 구성한 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판은 산화막, 질화막, 석영 또는 유리중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

3 3

제1항에 있어서,상기 스캔 구동회로(30)와 데이터 구동회로(40)는 상보형 박막트랜지스터로 구성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

4 4

제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 박막트랜지스터의 채널과 상기 상보형 다결정실리콘 박막트랜지스터의 채널을 동일한 박막층으로 구성한 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

5 5

제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 비정질실리콘 또는 다결정실리콘 박막으로 채널 및 소스/드레인을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

6 6

제1항에 있어서, 상기 전계방출소자는 원기둥 모양의 저항체와, 상기 저항체 상에 원추형상으로 형성한 에미터 팁과, 상기 에미터 팁 주위에 형성되어 상기 에미터 팁에 전기장을 인가하기 위한 게이트를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

7 7

제6항에 있어서, 상기 저항체는 도핑되지 않은 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

8 8

제6항에 있어서, 상기 에미터 팁의 전체 또는 일부가 도핑된 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

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1 JP10188864 JP 일본 FAMILY
2 US05939833 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 FR2757676 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
2 FR2757676 FR 프랑스 DOCDBFAMILY
3 JP10188864 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH10188864 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US5939833 US 미국 DOCDBFAMILY
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