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선택적 재성장에 의한 고전자 이동도 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015075965
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계효과형 갈륨비소 소자 제조 기술중 오믹 특성을 개선하기 위해서 오믹층의 재성장에 의한 오믹접촉전극의 제조 방법을 기술하기 위한 것이다. 본 발명의 오믹접촉전극 제조 방법은 고농도로 오믹층을 재성장함으로써 열처리후 접촉저항특성을 개선시킬 수 있고, 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다. 본 발명은 산화막과 질학막의 이중절연막을 식각마스크로하여 기판의 오믹영역을 건식식각하는 방법과 MOCVD방법으로 식각된 오믹영역을 선택적으로 재셩장하여 n형 InGaAs오믹층을 형성하는 방법 그리고 금속층 증착 및 그 열처리방법으로 구성되어 있다.본 발명에 의하여 오믹전극을 실시하면 종래의 방법에 비하여 오믹전극을 용이하게 형성할 수 있고, 오믹접촉전극의 접촉저항값을 낮출 수 있어 소자의 전기적 특성을개선할 수 있는 장점을 가진다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01) H01L 29/45(2013.01)
출원번호/일자 1019960069793 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0243648-0000 (1999.11.17)
공개번호/일자 10-1998-0050945 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
2 이진희 대한민국 대전광역시 유성구
3 박병선 대한민국 대전광역시 유성구
4 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
5 편광의 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231175-73
2 특허출원서
Patent Application		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231173-82
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231174-27
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231176-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0161201-58
6 의견서
Written Opinion		 1999.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5270255-28
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.07.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5270256-74
8 등록사정서
Decision to grant		 1999.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0319785-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상에 버퍼층, 채널층, 스페이서층, 쇼트키층 및 제 1 오믹층이 차례로형성된 화합물 반도체 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제 1 오믹층 상에 식각마스크 패턴을 형성하여 상기 제 1 오믹층, 쇼트키층, 스페이서층, 채널층을 선택식각하여 상기 버퍼층을 노출시키는 단계, 상기 버퍼층 상의 식각된 부위에 MOCVD 방법으로 제 2 오믹층을 상기 제 1 오믹층 높이 까지 성장시키는 단계, 상기 제 2 오믹층 및 제 1 오믹층의 일부면 상에 오믹 금속전극을 형성하는 단계, 및 상기 쇼트키층과 접하는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 트랜지스터는 전계효과 트랜지스터(MESFET) 인것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 l항에 있어서, 상기 화합물 반도체 트랜지스터는 고전자이동도 트랜지스터(HEMT) 인것을 특정으로 하는 방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 제 2 오믹층은 InxGa1-xAs층 인것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 In의 조성비는 0

6 6

제 1항에 있어서, 상기 오믹 금속전극은 Pd/Ni/Ge/Au의 금속합금인 것을 특징으로 하는 방법

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 오믹 금속전극 형성후 300∼400℃에서 급속열처리를 수행하는 단계를더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법

8 8

제 1항에 있어서, 상기 제 1 오믹층, 쇼트키충, 스페이서층, 채널층의 선택식각은 ECR건식식각을 통해 이루어지는 것을 특정으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.