맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전계방출디스플레이를위한후막및박막적층형발광층제조방법

  • 기술번호 : KST2015075966
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야전계방출 디스플레이용 발광층 제조방법2. 발명이 해결하러고 하는 기술적 과제발광층의 발광효율을 극대화하고, 전자의 분산을 용이하게 함과 동시에 빛의 전면투과율을 향상시킬 수 있는 전계방출 디스플레이용 발광층 제조방법을 제공하고자 함.3. 발명의 해결방법의 요지본 발명은 후막형 발광층을 형성한 다음, 상기 후막형 발광층 상부에 원자층 증착법 또는 화학 증착법에 의해 표면 전체가 균일한 박막을 형성함으로써, 전자의 분산을 용이하게 함과 동시에 빛의 전면 투과율을 향상시킬 수 있고, 발광효율을 극대화할 수 있는 전계방출 디스플레이용 발광층 제조방법을 제공한다.4. 발명의 중요한 용도전계방출 디스플레이용 발광층 및 그 제조공정에 이용됨.[색인어]전계방출, 디스플레이, 발광, 후막, 박막, 적층, 투명 전도성
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC H01J 9/20(2013.01) H01J 9/20(2013.01)
출원번호/일자 1019960069794 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0270333-0000 (2000.07.31)
공개번호/일자 10-1998-0050946 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤선진 대한민국 대전광역시 유성구
2 이중환 대한민국 대전광역시 유성구
3 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231179-55
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231178-10
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231177-64
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231180-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0212756-50
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.08.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5317318-42
7 의견서
Written Opinion		 1999.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1999-5317317-07
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0357927-72
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2000-5024803-28
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-5060230-11
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.03.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5084411-29
12 의견서
Written Opinion		 2000.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2000-5084410-84
13 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0155919-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

투명기판 및 상기 투명기판상에 형성된 투명 전도층을 구비하는 전계방출 디스플레이용 발광층 제조방법에 있어서, 상기 투명 전도층상에 후막형 발광층을 형성하는 제1단계; 및 상기 후막형 발광층 상부에 발광 박막을 형성하는 제2단계를 포함하는 전계방출 디스플레이릍 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

2 2

(2회 정정) 제1항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 발광 박막을 ZnO:Zn, ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4:Eu, Y2O2S:Eu, YAG:Eu, YAG:Tb, Y2SiO5:Ce, Y2O3:Eu, Y2O2S:Tb, Gd2O2S:Tb, SrS:Ce, SrTe:Ce, SrS-Sc2S3, ZnS:Ag, ZnS:Pr, SrGa2S4, ZnCdS:Cu,Al중 적어도 어느 한 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

3 3

(2회 정징) 제1항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 발광 박막을 원자층증착법 또는 화학증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

4 4

(2회 정정) 제1항에 있어서, 싱기 제2단계에서, 상기 발광 박막을 10nm내지 950nm두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

5 5

(2회 정정) 제1항에 있어서, 상기 후막형 발광층 및 상기 발광 박막 사이에 디스플레이 동작시 공급되는 전자선의 분산 및 투과를 용이하게 하기 위하여, 상기 제1단계 후 상기 후막형 발광층상에 완충막을 형성하는 제3단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

6 6

(2회 정정) 투명기판 및 상기 투명기판상에 형성된 투명 전도층을 구비하는 전계방출 디스플레이용 발광층 제조방법에 있어서, 상기 투명 전도층상에 후막형 투명 전도층을 형성하는 제1단계; 및 상기 후막형 투명 전도층 상부에 발광 박막을 형성하는 제2단계를 포함하는 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

7 7

(2회 정정) 제6항에 있어서, 상기 제2단계에서 상기 발광 박막을, ZnO:Zn, ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4:Eu, Y2O2S:Eu, YAG:Eu, YAG:Tb, Y2SiO5:Ce, Y2O3:Eu, Y2O2S:Tb, Gd2O2S:Tb, SrS:Ce, SrTe:Ce, SrS-Sc2S3, ZnS:Ag, ZnS:Pr, SrGa2S4, ZnCdS:Cu, Al중 적어도 어느 한 재료로 헝성하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

8 8

(2회 정정) 제6항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 발광박막을 원자층증착법 또는 화학증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이를 워한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

9 9

(2회 정정) 제6항에 있어서, 상기 제2단계에서, 상기 발광 박막을 10nm내지 950nm두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

10 10

(2회 정정) 제6항에 있어서, 상기 후막형 투명 전도층 및 상기 발광 박막 사이에 디스플레이 동작시 공급되는 건자선의 분산 및 투과를 용이하게 하기 위하여, 상기 제1단계 후 상기 후막형 투명 전도층상에 완충막을 형성하는 제3단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.