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반도체소자의 금속오염을 제거하는 방법에 있어서, 수소 플라즈마에서 반응성 수소이온을 생성하는 제1단계 상기 반응성 수소이온이 실리콘 웨이퍼의 표면으로 확산되어 흡착되는 제2단계 수소이온이 화학반응을 일으켜 휘발성이 강한 부산물 기체가 발생되는 제3단계 및 상기 기체가 탈착되어 금속불순물과 함께 배출되는 제4단계를 포함하여 이루어진 수소 플라즈마를 이용한 금속오염 제거 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3단계의 부산물기체는 실리콘 표면의 자연산화막이 수소원자 및 실리콘원자와의 화학반응에 의해 H-SiO 가 되는 것을 특징으로 하는 수소 플라즈마를 이용한 금속오염 제거 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3단계의 부산물기체는 실리콘원자가 수소원자와 반응하여 휘발성이 강한 SiH4 가 되는 것을 특정으로 하는 수소 플라즈마를 이용한 금속오염 제거 방법
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제1항에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 화학용액 또는 오염원에 침잠하는 제1단계 진공 챔버내의 초기 진공도를 10-3Torr 이하로 설정하는 제2단계 리모트 수소 플라즈마 세정시 공정 압력을 1 내지 800mTorr 로 설정하는 제3단계 리모트 수소 플라즈마 장비의 전력을 1 내지 1000W로 설정하는 제4단계 및 상기 제1단계 내지 제4단계의 공정조건 설정 후, 세정을 실시하는 제5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수소 플라즈마를 이용한 금속오염 제거 방법
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제4항에 있어서, 상기 제1단계의 오염원이 아세톤인 것을 특징으로 하는 수소 플라즈마를 이용한 금속오염 제거 방법
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제4항에 있어서, 상기 제1단계의 오염원이 황산구리 수용액인 것을 특징으로 하는 수소 플라즈마를 이용한 금속오염 제거 방법
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