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기판바이어스인가형유기금속화학증착법에의한구리박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015075986
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구리 유기금속 화학증착법(MOCVD : metalorganic chemical vapordeposition)에 관한 것으로, 박막의 배향성과 반도체 미세패턴상에서의 단차피복성을 개선하기 위한 반도체 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 공정가스 여기원으로 열에너지를 사용함과 함께 구리원의 표면반응 거동을 조절하기 위해 기판상에 직류 또는 RF 바이어스(DC or RF bias)를 인가하는 공정으로 특징지울 수 있다. 특히, 본 발명에서는 기판 바이어스 인가형 구리 유기금속 화학증착 공정(substrate biased Cu-MOCVD)을 이용하여 증착반응시 기판 바이어스에 의해 기판의 전자촉매반응성을 조절할 수 있어, 높은 증착율로 낮은 비저항의 구리박막을 증착할 수 있을 뿐만 아니라 흡착 반응종들의 기판상의 표면이동도를 증가시킬 수 있어 박막의(111) 배향성과 미세패턴상의 매립특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판에 따라 바이어스 극성을 변경함으로써 박막의 선택증착 및 전면도포 특성을 개선시킬 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01)
출원번호/일자 1019960069823 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0050975 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전치훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 김윤태 대한민국 대전광역시 유성구
3 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231296-99
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231297-34
3 출원심사청구서
Request for Examination
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231298-80
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231299-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0239826-24
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.09.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5348196-84
7 의견서
Written Opinion
1999.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-5348195-38
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1999.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0357136-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

유기금속화합물을 화학증착 장비에 주입하여 기판에 금속막을 형성하는 유기금속 화학증착 방법에 있어서, 화학증착 장비에 기판을 제공하는 단계 금속전구체를 상기 화학증착 장비에 주입하는 단계 및 금속이 증착될 상기 기판의 됫면에 전압을 인가하여 금속막의 증착율 및 조밀도와 배향성을 조절하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 유기금속화합물은 구리원을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 인가 전압은 직류전원인 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 인가 전압은 RF 전원인 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 1항에 있어서, 상기 화학증착 장비는, 상기 기판에 전원을 인가하기 위한 전원인가 수단 상기 기판을 지지하기 위한 서셉터 상기 기판을 가열하기 위한 히터 상기 유기금속화합물을 상기 기판으로 분사하기 위한 가스주입기 상기 기판과의 반응생성물과 미반응 기체를 배출하기 위한 배기구 및 상기 기판의 온도를 감지하기 위한 온도감지수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.