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마이크로 수렴성 거울의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076044
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세기전(micromachining)기술을 사용하여 광전 미세기전 소자에 적용할 수 있는 마이크로 수렴성 거울(오목거울)을 제조 방법에 관한 것이다.광소자 또는 광섬유와 같이 광을 이용하는 미세기전 소자에서는 공간 중에서 광을 집속시키기 위하여 미세한 크기의 광학기구가 필요하다. 그러나 광학렌즈나 수렴성 거울을 마이크론 단위에서 기계적으로 제작하는 것은 매우 어렵고 극히 정밀한 기계작업을 요한다.본 발명에서는 간단한 반도체 공정을 이용하여 미세한 수렴성 거울을 제작하는 방법을 고안하였다. 거울면의 가공은 불산을 이용하여 실리콘 산화막을 등방성 습식식각으로 하여 형성하였으며 구면이 아닌 타원구면을 만들기 위하여 서로 식각속도가 다른 산화막을 이중으로 도포하여 식각하는 방안을 제안하였다.
Int. CL G02B 5/00 (2006.01)
CPC G02B 5/10(2013.01) G02B 5/10(2013.01) G02B 5/10(2013.01)
출원번호/일자 1019970045655 (1997.09.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0258180-0000 (2000.03.08)
공개번호/일자 10-1999-0024515 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남기수 대한민국 대전광역시 유성구
2 백문철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144806-01
2 특허출원서
Patent Application		 1997.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144805-55
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144807-46
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0030090-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판 상부에 순차적으로 제 1 산화막 및 제 2 산화막을 형성하는 단계와,

상기 제 2 산화막 상부에 거울의 중앙 부분에 해당하는 위치에서 원형의 구멍이 형성된 감광막을 형성한 후 습식식각하여 타원을 형성하는 단계와,

상기 타원 상부에 금속막을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 수렴성 거울의 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 산화막은 습식식각 속도가 느린 고온의 열적화학 산화 방법으로 2㎛ 이상의 두꺼운 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 수렴성 거울의 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 산화막은 습식식각 속도가 빠른 저온의 저압화학증착법으로 100Å 내외의 얇은 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 수렴성 거울의 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 습식식각은 불산 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 마이크로 수렴성 거울의 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 금속 박막은 알루미늄 박막인 것을 특징으로 하는 마이크로 수렴성 거울의 제조 방법

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 알루미늄 박막 표면에 실리콘 산화막 또는 투명한 박막을 도포한 것을 특징으로 하는 마이크로 수렴성 거울의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.