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삼차원 코일 구조 미세 인덕터 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015076050
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야반도체 장치.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제일반적인 IC 공정으로, 3차원 코일 구조를 가지며 코일의 내부가 빈 인덕터 및 그 형성 방법을 제공하여, 평면 구조의 인덕터에 비하여 면적이 감소되고, 코일의 고주파 전류에 흐름에 의한 기생 캐패시턴스의 용량을 줄일 수 있도록 한다.3. 발명의 해결 방법의 요지절연막 상에 형성된 홈 내부에, 홈의 바닥 및 양측벽의 소정 부위를 덮으며, 그 양단이 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지고 이웃하는 패턴과 소정의 간격을 갖는 다수의 제1 전도막 패턴 및 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 다수의 제2 전도막 패턴으로 3차원 코일 구조 미세 인덕터를 형성한다.4. 발명의 중요한 용도반도체 장치 및 그 제조 방법에 이용됨
Int. CL H01F 27/28 (2006.01) H01F 27/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970046644 (1997.09.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0233237-0000 (1999.09.10)
공개번호/일자 10-1999-0025140 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (19991201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.10)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창억 대한민국 대전광역시 유성구
2 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
3 이용일 대한민국 대전광역시 유성구
4 장원익 대한민국 대전광역시 유성구
5 백종태 대한민국 대전광역시 유성구
6 유형준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1997.09.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148024-07
2 특허출원서
Patent Application
1997.09.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148022-16
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.09.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148023-51
4 등록사정서
Decision to grant
1999.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0204001-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

홈이 형성된 절연막;

상기 홈 내부에서 홈의 바닥 및 양측벽의 소정 부위를 덮으며, 그 양단이 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지고 이웃하는 패턴과 소정의 간격을 갖는 다수의 제1 전도막 패턴; 및

상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 다수의 제2 전도막 패턴을 포함하여 이루어지는 3차원 코일 구조 미세 인덕터

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 코일 구조의 양단에서 각각 상기 제1 전도막 패턴 및 제2 전도막 패턴인 중 어느 하나와 연결되는 전도막 패드를 더 포함하여 이루어지는 3차원 코일 구조 미세 인덕터

3 3

기판 상에 절연막을 형성한 후, 인덕터가 형성될 소정 영역에 홈을 형성하는 단계;

상기 홈 내부에서, 홈의 바닥 및 양측벽의 소정 부위를 덮으며, 그 양단이 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지고 이웃하는 패턴과 소정의 간격을 갖는 다수의 제1 전도막 패턴을 형성하는 단계;

상기 홈 내부에 상기 제1 전도막 패턴을 이루는 물질과 식각 성질이 다른 물질을 채우는 단계;

상기 홈 내부에 채워진 물질과 식각 성질이 다른 제2 전도막을 형성하는 단계;

상기 제2 전도막을 선택적으로 식각하여, 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며, 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 다수의 제2 전도막 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 홈 내부에 형성된 물질을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 3차원 코일 구조 미세 인덕터 형성 방법

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 제1 전도막 패턴을 형성하는 단계는,

상기 홈을 포함한 절연막 상에 제1 전도막을 형성하는 단계;

상기 제1 전도막 상에 상기 홈 바닥 및 측벽의 소정 부위를 덮으며 그 양단이 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐지는 감광막 패턴을 형성하는 단계;

상기 감광막 패턴을 식각 방지막으로 상기 제1 전도막을 플라즈마 식각 방법 및 습식 식각 방법 중 어느 하나의 방법으로 식각하는 단계; 및

상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 3차원 코일 구조 미세 인덕터 형성 방법

5 5

제 3 항에 있어서,

상기 홈 내부에 제1 전도막과 식각율이 다른 물질을 채우는 단계에 있어서,

감광막 또는 도핑된 스핀온글래스 막 중 어느 하나로 상기 홈 내부를 채우는 3차원 코일 구조 미세 인덕터 형성 방법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 홈 내부에 제1 전도막 패턴을 이루는 물질과 식각율이 다른 물질로 감광막을 채운 후,

상기 감광막을 베이크 하는 단계를 더 포함하는 3차원 코일 구조 미세 인덕터 형성 방법

7 7

제 3 항에 있어서,

상기 제2 전도막 패턴을 형성하는 단계는,

상기 제 2 전도막 상에, 상기 홈 양측의 절연막 표면에 걸쳐진 상기 제1 전도막 패턴의 양단과 연결되며 상기 다수의 제1 전도막 패턴을 이웃하는 제1 전도막 패턴과 연결하여 상기 제1 전도막 패턴과 함께 코일 구조를 이루는 제2 전도막 패턴을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;

상기 감광막 패턴을 식각 방지막으로 상기 제 2 전도막을 플라즈마 식각 방법 및 습식 식각 방법 중 어느 하나의 방법으로 식각하는 단계; 및

상기 감광막 패턴을 제거하는 단계로 이루어지는 3차원 코일 구조 미세 인덕터 형성 방법

8 8

제 7 항에 있어서,

상기 감광막 패턴은 상기 코일 구조의 양단에서 각각 상기 제1 전도막 패턴 또는 제2 전도막 패턴 중 어느 하나와 연결되는 패드를 형성하기 위한 패턴을 더 포함하는 3차원 코일 구조 미세 인덕터 형성 방법

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1 US6292084 US 미국 DOCDBFAMILY
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