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평면 매립형 반도체 레이저

  • 기술번호 : KST2015076055
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야반도체 레이저 제조 분야2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제본 발명은 부가 공정 없이 고출력을 얻을 수 있으며, 동시에 광섬유와 광결합 효율을 증가시키기 위하여 출력광의 크기를 증가시킬 수 있는 평면 매립형 반도체 레이저 장치를 제공하고자 한다.3. 발명의 해결방법의 요지본 발명은 전면으로부터 후면을 향하여 그 폭이 선형적으로 증가하는 제1 영역과, 상기 선형 영역의 끝단의 폭을 상기 후면까지 연장한 제2 영역을 포함하는 활성층을 제안 하였다.4. 발명의 중요한 용도광통신, 특히 광송신기에 이용됨.
Int. CL H01S 5/227 (2006.01)
CPC H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01) H01S 5/2205(2013.01)
출원번호/일자 1019970022975 (1997.06.03)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0243686-0000 (1999.11.17)
공개번호/일자 10-1999-0000230 (1999.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.06.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조호성 대한민국 부산광역시 동래구
2 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
3 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
4 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.06.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0073682-82
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.06.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0073681-36
3 특허출원서
Patent Application		 1997.06.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0073680-91
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0298150-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 형성된 활성층, 전류 차단층, 오옴 접촉층을 포함하여 이루어진 평면 매립형 반도체 레이저 장치에 있어서,

상기 활성층은 전면으로부터 후면을 향하여 그 폭이 선형적으로 증가하는 제1 영역과, 상기 선형 영역의 끝단의 폭을 상기 후면까지 연장한 제2 영역을 포함하여 이루어진 것을 특징으로하는 평면 매립형 반도체 레이저

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제1 영역은

그 길이가 150㎛ 내지 400㎛인 것을 특징으로하는 평면 매립형 반도체 레이저

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제2 영역은

그 길이가 100㎛를 넘지 않는 것을 특징으로하는 평면 매립형 반도체 레이저

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 후면은

그 폭이 2㎛를 넘지 않는 것을 특징으로하는 평면 매립형 반도체 레이저

5 5

제 3 항에 있어서,

상기 활성층은

그 두께가 0

6 6

제 3 항에 있어서,

상기 반도체 기판은 InP 기판이며, 상기 오옴 접촉층은 InGaAs를 포함하는 것을 특징으로하는 평면 매립형 반도체 레이저

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.