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광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자

  • 기술번호 : KST2015076061
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공 또는 대기 등의 기체 내에서 인접한 두개의 전극 사이에 높은 전류 구동이 가능하게 한 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자에 관한 것으로, 두개의 박막형의 전극을 형성하고 이 전극을 각각 방출전극, 수전전극으로 사용하고 임계 에너지 이상의 광을 방출전극에 조사하여 전자를 방출시켜 게이트의 동작을 수행하게 고안된 트랜지스터인 광게이트 트랜지스터를 원하는 소자의 내압에 대해 전압 항복이 발생하지 않게 방출전극과 수전전극 사이의 간격을 유지한다. 또한 전극간에 전압을 인가하면서 방출전극에 광을 조사하여 전자를 방출시킬 때 조사 유효 면적을 증대시키고자 소자의 전극 구조를 빗살 구조로 형성하여 높은 전류 구동이 가능하게 한 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/739 (2006.01)
CPC H01L 31/10(2013.01)
출원번호/일자 1019970040213 (1997.08.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0261263-0000 (2000.04.17)
공개번호/일자 10-1999-0017315 (1999.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.08.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성원 대한민국 대전광역시 유성구
2 조경익 대한민국 대전광역시 유성구
3 유형준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0128261-42
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0128260-07
3 특허출원서
Patent Application		 1997.08.22 수리 (Accepted) 1-1-1997-0128259-50
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0013242-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판위에서 중앙에 공간을 두고 양측에 분리되어 형성된 절연층과;

상기 절연층의 상부에 박막형태로 서로 분리되어 소정거리를 두고 일측 절연층에 설치되어 전자를 방출하는 방출전극과 타측 절연층에 전자를 받아들이는 수전전극과;

상기 방출전극과 수전전극사이의 공간이 진공 또는 임의의 개스 및 대기가 형성된 공간이 되도록 각 박막 전극의 상부에 형성된 충진층과;

상기 박막 전극에 광을 조사하는 광원과 상기 광원의 하부에 상기 광원의 조사량을 조절하는 광학창이 구비되고 상기 충진층을 덮어 설치되는 상판으로 구성된 것을 특징으로 하는 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 방출전극의 상부에 형성된 광원에서 조사된 광이 방출전극의 하부에도 조사되도록 상부에서 조사되는 광을 반사시키는 반사막이 방출전극의 하부에 형성된 것을 특징으로 하는 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 절연층은,

습식 또는 건식 식각되어 방출전극과 수전전극사이에 형성되는 기생 용량을 제거하고, 절연층 표면을 통하여 형성되는 누설전류성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 수전전극 및 방출전극이 형성된 기판과, 상기 광원 및 광학창이 구비된 상판은,

프릿 글레스의 진공 접합물질, 유리의 용융접합물질, 전계접합용 접합 물질을 사용하여 접합된 것을 특징으로 하는 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 방출전극 및 수전전극은,

광이 조사될 때 전자의 방출 유효 면적이 증대되도록 각각 빗살 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 광게이트 소자를 이용한 고전력용 전자소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.