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화합물 반도체의 오믹접촉 방법
- 기술번호 : KST2015076116
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 화합물 반도체의 오믹접촉 방법에 관한 것으로, 특히 스트레인 보상층 (strain compensation layer)을 이용한 GaAs계 및 InP계 화합물반도체의 오믹접촉 방법에 관한 것이다. 일반적으로 InP계 전자 소자의 경우 금속 접촉층으로 도핑된 InGaAs층을 사용한다. 금속 접촉층으로 도핑된 InGaAs층을 사용시 In의 함량이 증가시켜 InAs층을 도입함으로써 쇼트키(Schottky) 장벽층의 높이를 낮추어 오믹 접촉 특성을 향상시킬 수 있다고 알려져 있다. 그러나, In의 함량이 증가 또는 감소함에 따라 격자불일치 (lattice mismatch)가 존재한다. 또한 상기 격자 불일치에 의해 성장 가능한 임계 두께 (critical thickness) 및 성장한 에피층에 전위 (dislocation) 및 적층결함 (stacking fault) 등의 존재로 전기적 특성의 퇴화 (degradation)가 일어난다. 따라서, 본 발명은 In함량의 증가에 의해서 에피택시얼층에 생기는 압축 스트레인 (compressive strain)을 상쇄하기 위해 상기 에피택시얼층 상에 In함량을 감소시킨 에피택시얼층을 성장시킨다. 그 결과 인장 스트레인 (tensile strain)의 발생으로 압축스트레인을 상쇄시켜 격자 정합성을 유지하면서 성장 시킬 수 있을 뿐 아니라, In 함량 증가에 따른 쇼트키(Schottky) 장벽 높이의 감소로 오믹 특성이 향상되는 장점을 계속 유지할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/28 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/452(2013.01) H01L 29/452(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1019970046098 (1997.09.08) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0248077-0000 (1999.12.15) |
| 공개번호/일자 | 10-1999-0024758 (1999.04.06) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20000315) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1997.09.08) |
| 심사청구항수 | 3 |