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완만한 경사를 갖는 산화막 패턴 형성을 위한 반도체 소자제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076130
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고전압 소자의 발달과 함께 산화막의 측면이 직각보다는 60°이하의 낮은 빗면을 원하는 경우가 있는데, 이러한 산화막 측면의 낮은 각도를 요구하는 식각은 종래의 습식식각이나 건식식각으로 구현할 수 없으나, 본 발명은 이러한 문제점을 극복하기 위하여, 본 발명은 서로 다른 온도에서 성장된 산화막 특성을 이용하여 습식식각(wet etch) 및 건식식각(dry etch)때 식각비를 이용하는 기술로서, 여러 층의 산화막을 형성하여 형성된 각 층마다 산화막 초기 성장온도나 성장후 열처리 온도를 다르게 함으로서 형성된 산화막의 선택 식각비를 다르게 만드는 기술이다.
Int. CL H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01)
출원번호/일자 1019970038667 (1997.08.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0236970-0000 (1999.10.05)
공개번호/일자 10-1999-0016196 (1999.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.08.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대한민국 대전광역시 유성구
2 김종대 대한민국 대전광역시 유성구
3 이대우 대한민국 대전광역시 유성구
4 노태문 대한민국 대전광역시 유성구
5 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
6 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.08.13 수리 (Accepted) 1-1-1997-0123441-03
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.13 수리 (Accepted) 1-1-1997-0123440-57
3 특허출원서
Patent Application		 1997.08.13 수리 (Accepted) 1-1-1997-0123439-11
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0266705-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

기판상에 상부층으로 갈수록 그 증착온도가 낮은 다층의 이종접합 산화층을 형성하는 단계; 및

상기 다층의 산화층을 선택적으로 식각하여 그 측벽이 경사진 산화막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자 제조 방법

2 2

기판상에 상부층으로 갈수록 그 열처리 온도가 낮은 다층의 이종접합 산화층을 형성하는 단계; 및

상기 다층의 산화층을 선택적으로 식각하여 그 측벽이 경사진 산화막 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자 제조 방법

3 3

기판상에 제1 산화막을 증착하고 소정 온도에서 열처리하는 단계;

상기 제1 산화막 상에 상기 제1산화막의 열처리 온도 보다 낮은 온도하에서 제2 산화막을 증착하는 단계;

상기 제2 산화막 상에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및

상기 제2 산화막 및 제1 산화막을 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자 제조 방법

4 4

제3항에 있어서,

상기 열처리는 전기로에서 200℃ 내지 1400℃의 온도로 5분 내지 20시간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

5 5

제3항에 있어서,

상기 열처리는 급속열처리 장치에서 500℃ 내지 1200℃의 온도로 2초 내지 1시간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법

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1 JP11087310 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH1187310 JP 일본 DOCDBFAMILY
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