행구동집적회로(20)로부터 스캔신호를 입력받고 열구동집적회로(30)로부터 데이터신호를 입력받는 다수의 단위화소가 행렬 어레이되어 구성되되,

상기 단위화소는 각각의 게이트가 공통전극에 접속된 전계에미터어레이(10)와, 상기 전계에미터어레이의 에미터전극과 자신의 드레인이 전기적으로 서로 접속되고 자신의 게이트에 상기 스캔신호를 입력받고 자신의 소스에 상기 데이터신호를 입력받는 고전압박막트랜지스터(11)로 구성되며,

상기 단위화소의 상기 고전압박막트랜지스터와 상기 전계에미터어레이는 동일한 절연기판(101) 상부에 집적화되어 구성되되,

상기 고전압박막트랜지스터는 상기 절연기판(101)상에 형성된 전도층에 채널(111), 소스(112) 및 드레인(113)이 형성되고 상기 전도층 상에 게이트절연막(114)를 개재하여 게이트전극(115)이 형성되며,

상기 전계에미터어레이는 상기 전도층에 상기 드레인과 연결되어 에미터전극(102)이 형성되고, 상기 전도층 상에 저항체(103)을 개재하여 에미터팁(104)이 형성되고, 상기 전도층 상에 절연막(102, 105)를 개재하여 게이트(106)가 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출디스플레이

제1항에 있어서,

상기 고전압박막트랜지스터는 n-채널 고전압 박막트랜지스터임을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

제1항에 있어서,

상기 공통전극에는 전계 에미터의 턴-온 전압 이상의 일정 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

제1항에 있어서,

상기 스캔신호는 소정폭을 갖는 펄스신호로서 상기 단위화소가 배열된 행열의 한 행을 선택적으로 인에이블 시키는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

제4항에 있어서,

상기 테이터신호는 상기 스캔신호가 인에이블되었을 때, 소정폭을 갖는 펄스 신호로 인가되어 전계에미터의 전자 방출을 제어하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

제5항에 있어서,

상기 데이터 신호의 펄스 진폭은 상기 스캔신호의 펄스 진폭 보다 큰 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

제1항에 있어서,

상기 전계에미터어레이의 에미터팁은 원추형의 도핑된 실리콘이고, 상기 저항체는 원기둥형의 도핑되지 않은 실리콘임을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

제6항에 있어서,

디스플레이의 계조 표현을 상기 데이터 신호의 펄스 폭 또는 펄스 수를 변조하여 표시하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이