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실리콘 양자세선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015076137
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자세선(quantum wire)의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘산화층과 실리콘질화층으로 둘러싸인 실리콘 양자세선 제조 방법에 관한 것이다.기존의 전자빔 리소그라피 방법에 의해 제조된 양자세선은 선폭이 수십 ㎚ 이하의 초미세 구조일 경우 직선성이 우수한 양자세선을 재현성 있게 제조하는 것이 쉽지 않았고, 또한 기존의 양자세선 구조에서는 주로 정전기장을 이용하여 전자를 1 차원 구조로 구속하여 전자 이동에 관한 양자 현상을 연구해 왔으나 정전기장에 의한 전자 구속은 전자가 점유할 수 있는 에너지 준위의 간격이 좁아서 양자 현상을 관측하기 위해 극저온에서 측정이 요구되었다.본 발명은 SIMOX 기판의 실리콘층 상부의 선택된 영역에 실리콘질화층을 형성하여 상기 실리콘층의 측면으로 제 2 실리콘산화층 성장시 실리콘 양자세선의 산화 확산을 막고 실리콘층의 측면으로 제 2 실리콘산화층을 성장시켜 양자세선의 폭을 조절하므로써 두께와 폭이 작은 양자세선을 재현성있게 제조할 수 있어 높은 온도에서도 양자 현상 관측이 가능하다.
Int. CL H01L 21/318 (2006.01)
CPC H01L 21/02351(2013.01) H01L 21/02351(2013.01) H01L 21/02351(2013.01) H01L 21/02351(2013.01) H01L 21/02351(2013.01)
출원번호/일자 1019970047170 (1997.09.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0250460-0000 (2000.01.04)
공개번호/일자 10-1999-0025505 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문호 대한민국 대전광역시 유성구
2 오상철 대한민국 대전광역시 유성구
3 이성재 대한민국 서울특별시 서초구
4 박경완 대한민국 대전광역시 유성구
5 신민철 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0149660-93
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0149661-38
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.12 수리 (Accepted) 1-1-1997-0149662-84
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0374875-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판, 제 1 실리콘산화층 및 실리콘층이 적층된 시목스 기판 상부에 실리콘질화층을 형성하는 단계와,

상기 실리콘질화층의 선택된 영역을 제거한 후 잔류된 실리콘질화층을 차단막으로 상기 실리콘층의 일부를 제거하는 단계와,

상기 실리콘층 측면에 제 2 실리콘산화층을 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 양자세선 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 실리콘질화막의 선택된 영역은 전자빔 리소그라피 방법으로 패터닝된 폴리메틸메타크릴레이트를 차단막으로 사용한 식각 공정으로 제거하는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자세선 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 실리콘산화층은 열적 산화 방법으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자세선 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.