초자기정렬 쌍극자 소자에 있어서,

전도성 매몰컬렉터를 반도체 기판에 국부적으로 형성하고,

형성된 전도성 매몰컬렉터 위에 제 1 절연막, 제 2 절연막과 전도성 베이스전극박막을 순차적으로 적층하며,

상기 적층된 소자를 매몰컬렉터상에 국부적으로 정의된 소자활성영역내에서 매몰컬렉터를 노출시킴과 동시에 소자영역 이외의 필드영역 부분에는 존재하지 않도록 패터닝시키고,

상기 필드영역의 패터닝된 제 1 절연막과 제 2 절연막 측벽에 제 1 절연막을 형성하여 필드영역에는 제 2 절연막의 높이까지 단결정 반도체 필드박막을 형성하고,

소자활성영역의 패터닝된 제 1 절연막과 제 2 절연막 그리고 전도성 베이스전극박막 측벽에 제 1 절연막을 형성하고,

소자활성영역내 노출된 매몰컬렉터상에 단결정 컬렉터박막을 상기 전도성 베이스전극박막 높이까지 형성하고,

컬렉터박막과 측벽의 제 1 절연막과 측벽의 제 1 절연막과 전도성 베이스전극박막 위에만 전도성 베이스박막을 형성하며,

베이스박막 위에 컬렉터박막상에 정의된 에미터영역내에 베이스박막이 노출되도록 제 3 절연막을 패터닝시키고,

노출된 베이스박막 위에 전도성 에미터박막을 형성하고,

에미터박막 측벽에 격리측벽절연막의 형성과 측벽절연막 밑에 제 3 절연막으 형성됨으로 에미터박막과 베이스전극박막을 격리시키고,

상기 측벽절연막과 측벽절연막 밑의 데 3 절연막 이외에 노출된 베이스전극영역 상의 베이스박막 위와 에미터박막 위에 금속실리사이드박막을 형성하고,

상기 결과물에 제 4 절연막을 도포하며,

상기 베이스전극 영역의 실리사이드박막과 에미터박막 위의 실리사이드박막 그리고 소자활성영역외의 매몰컬렉터와 금속배선을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

제 1 항에 있어서, 상기 필드영역은

반도체 필드박막이 없고 제 4 절연막이 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

제 1 항에 있어서,

필드영역에 반도체 필드박막과 제 1 절연막과 제 2 절연막의 측벽에 있는 제 1 절연막 사이에 매몰컬렉터층과 연결되는 전도성 단결정 컬렉터싱커박막 위에 금속배선과 접촉시키는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

초자기정렬 규소/규소게르마늄 쌍극자 소자에 있어서,

규소기판에 국부적으로 제 1 전도형 불순물이 첨가된 전도성 매몰컬렉터를 형성하고,

상기 형성된 전도성 매몰컬렉터 위에 순차적으로 제 1 절연막, 제 2 절연막과 제 2 전도형 불순물이 첨가된 전도성 베이스전극박막을 순차적으로 적층시키고,

적층된 상기 소자의 매몰컬렉터상에 국부적으로 정의된 소자활성영역내에서 매몰컬렉터가 노출됨과 동시에 소자영역 이외의 필드영역 부분에는 존재하지 않도록 패터닝시키고,

상기 필드영역의 패터닝된 제 1 절연막과 제 2 절연막 측벽에 제 1 절연막을 형성하여 필드영역에는 제 2 절연막의 높이까지 단결정규소 필드박막을 형성하고,

소자활성영역의 패터닝된 제 1 절연막과 제 2 절연막 그리고 베이스전극박막 측벽에 제 1 절연막을 형성하고,

소자활성영역내 노출된 매몰컬렉터상에 제 1 전도형 불순물이 첨가된 단결정규소 컬렉터박막을 베이스전극박막 높이까지 형성하고,

컬렉터박막과 측벽의 제 1 절연막과 전도성 베이스전극박막 위에만 제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소 혹은 규소/제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소게르마늄 혹은 규소/제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소게르마늄/규소게르마늄 혹은 규소/제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소게르마늄/규소게르마늄/규소 혹은 규소/제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소게르마늄/규소게르마늄/제 1 전도형 불순물이 첨가된 규소 구조의 이종접합 베이스전극박막을 형성하고,

베이스박막 위에 제 3 절연막을 형성하며,

상기 컬렉터박막상에 정의된 에미터영역내에 베이스전극박막이 노출되도록 제 3 절연막을 패터닝시키고,

노출된 베이스박막 위에 제 1 전도형 불순물이 첨가된 다결정박막 혹은 단결정규소박막위에 다결정박막이 있는 이중층 구조의 전도성 에미터박막을 형성하고,

에미터박막 측벽에 격리측벽절연막과 측벽절연막 밑에 제 3 절연막의 형성으로 에미터박막과 베이스전극박막을 격리시키고,

측벽절연막과 측벽절연막밑의 제 3 절연막 이외에 노출된 베이스전극영역 상의 베이스박막 위와 에미터박막 위에 금속실리사이드박막을 형성하고,

상기 결과물에 제 4 절연막 도포와 상기 베이스전극 영역의 실리사이드박막과 에미터박막 위의 실리사이드박막과 소자활성영역의 매몰컬렉터와 금속배선을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

제 4 항에 있어서, 상기 필드영역은

단결정규소 필드박막이 없고, 제 4 절연막이 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

제 4 항에 있어서, 상기 전도성 단결정 규소박막은

필드영역에 단결정규소 필드박막과 제 1 절연막과 제 2 절연막의 측벽에 있는 제 1 절연막 사이에 매몰컬렉터층과 연결되는 전도성 단결정규소 컬렉터싱커박막이 있어 금속배선과 접촉되는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

제 4 항에 있어서, 상기 전도성 베이스전극박막은

다결정 규소박막이나 다결정 규소게르마늄박막 혹은 다결정게르마늄박막으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

제 4 항에 있어서,

제 1 절연막은 규소산화막으로, 제 2 절연막은 규소산화막 혹은 BPSG 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

제 4 항에 있어서, 상기 전도성 에미터박막의 다결정 박막은

다결정 규소박막이나 다결정 규소게르마늄박막 혹은 다결정게르마늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

제 4 항에 있어서, 상기 제 3 절연막은

규소산화막이나 질화규소막 혹은 규소산화막과 질화규소막의 이중층 구조 박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 장치

전도성 매몰컬렉터를 반도체 기판에 국부적으로 형성하고, 형성된 전도성 매몰컬렉터 위에 제 1 절연막, 제 2 절연막과 전도성 베이스전극박막을 순차적으로 적층하며, 상기 적층된 소자를 매몰컬렉터상에 국부적으로 정의된 소자활성영역내에서 매몰컬렉터를 노출시킴과 동시에 소자영역 이외의 필드영역 부분에는 존재하지 않도록 패터닝시키고, 상기 필드영역의 패터닝된 제 1 절연막과 제 2 절연막 측벽에 제 1 절연막을 형성하여 필드영역에는 제 2 절연막의 높이까지 단결정 반도체 필드박막을 형성하고, 소자활성영역의 패터닝된 제 1 절연막과 제 2 절연막 그리고 전도성 베이스전극박막 측벽에 제 1 절연막을 형성하고, 소자활성영역내 노출된 매몰컬렉터상에 단결정 컬렉터박막을 상기 전도성 베이스전극박막 높이까지 형성하며, 컬렉터박막과 측벽의 제 1 절연막과 측벽의 제 1 절연막과 전도성 베이스전극박막 위에만 전도성 베이스박막을 형성하고, 베이스박막 위에 컬렉터박막상에 정의된 에미터영역내에 베이스박막이 노출되도록 제 3 절연막을 패터닝시키고, 노출된 베이스박막 위에 전도성 에미터박막을 형성하고, 에미터박막 측벽에 격리측벽절연막의 형성과 측벽절연막 밑에 제 3 절연막으로 형성됨으로 에미터박막과 베이스전극박막을 격리시키고, 상기 측벽절연막과 측벽절연막 밑의 데 3 절연막 이외에 노출된 베이스전극영역 상의 베이스박막 위와 에미터박막 위에 금속실리사이드박막을 형성하고, 상기 결과물에 제 4 절연막을 도포하며, 상기 베이스전극 영역의 실리사이드박막과 에미터박막 위의 실리사이드박막 그리고 소자활성영역외의 매몰컬렉터와 금속배선을 접촉시키도록 이루어진 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법에 있어서,

상기 반도체 기판에 국부적으로 제 1 전도형 불순물을 확산시키거나 이온주입하여 전도성 매몰컬렉터를 형성하는 제 1 단계와;

형성된 전도성 매몰컬렉터 위에 단결정 반도체 필드박막을 예정된 두께로 증착하고 제 1 전도형 불순물을 확산시키거나 이온주입하여 매몰컬렉터와 연결되는 컬렉터박막을 단결정 반도체 필드박막에 부분적으로 형성하는 제 2 단계와;

순차적으로 패드 절연막과 제 1 마스킹 절연막 그리고 마스킹 반도체박막을 형성하고 예비 베이스전극영역과 컬렉터 오믹접촉영역을 함께 정의하는 감광막마스크를 이용하여 마스킹 반도체박막을 식각하고 감광막마스크를 제거한 후 마스킹반도체 박막을 이용하여 제 1 마스킹 절연막과 패드 절연막과 단결정 반도체 필드박막 및 부분적으로 노출된 컬렉터박막을 순차적으로 식각하는 제 3 단계와;

노출된 반도체박막 표면에 열산화막을 형성하고 상기 결과물의 예비 베이스전극영역과 컬렉터 오믹접촉영역 이상의 두께를 갖는 격리 절연막을 도포하는 제 4 단계와;

마스킹 반도체박막이 노출될때까지 격리 절연막을 화학적 기계적 연마한 후 노출된 마스킹 반도체박막을 마스크로 격리 절연막을 예정된 두께까지 계속적으로 식각하는 제 5 단계와;

상기 결과물이 예비 베이스전극영역과 컬렉터 오믹접촉영역 깊이 이상의 두께를 갖는 제 2 전도형 불순물이 확산이나 이온주입 혹은 인-시튜로 첨가된 베이스전극박막을 도포하는 제 6 단계와;

제 1 마스킹 절연막 표면이 노출될 때까지 베이스전극박막과 마스킹 반도체박막을 화학적 기계적 연마한 후 노출된 제 1 마스킹 절연막을 마스크로 베이스전극박막을 컬렉터박막 표면 높이까지 추가적으로 식각한 후 패드 절연막과 제 1 마스킹 절연막을 제거하여 단결정 반도체 필드박막과 컬렉터박막을 노출시키는 제 7 단계와;

제 2 전도형 불순물이 인-시튜로 첨가된 베이스박막을 증착하는 제 8 단계와;

제 2 마스킹 절연막을 증착하고 베이스전극영역을 확정 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 2 마스킹 절연막을 식각한 후 감광막마스크를 제거하고 제 2 마스킹 절연막을 마스크로 노출된 부분의 베이스박막과 베이스전극박막을 식각하고, 노출된 부분의 격리 열산화막도 제거하는 제 9 단계와;

상기 컬렉터박막 영역내에 에미터영역을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 2 마스킹 절연막을 식각하여 에미터영역내에 단결정 베이스박막이 노출되게 하는 제 10 단계와;

제 1 전도형 불순물을 확산이나 이온주입 혹은 인-시튜로 첨가한 에미터박막을 형성하고 그 위에 제 3 마스킹 절연막을 도포한 후 에미터전극영역을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 3 마스킹 절연막과 에미터박막을 순차적으로 패터닝하여 제 2 마스킹 절연막을 노출시키는 제 11 단계와;

제 3 마스킹 절연막과 에미터박막 측벽에 제 1 측벽절연막을 도포와 이방성 식각으로 형성한 후 추가적으로 식각하여 에미터박막위의 제 3 마스킹 절연막과 베이스전극 영역 상에 남아있는 제 2 마스킹 절연막을 제거하는 제 12 단계와;

노출된 에미터박막과 베이스전극 영역의 베이스박막 위에만 금속실리사이드 박막을 형성하는 제 13 단계와;

제 1 필드 절연막을 도포하고 금속접촉창을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 1 필드 절연막과 격리절연막과 열산화막을 식각하여 실리사이드 박막과 컬렉터 오믹접촉영역내의 일부분 매몰컬렉터를 노출시키는 제 14 단계와;

배선용 금속박막을 증착하고 금속배선을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 금속박막을 식각하는 제 15 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 11 항에 있어서, 제 9 단계는

일부 남아있는 단결정 필드박막을 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 11 항에 있어서, 제 10 단계는

컬렉터싱커영역을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 1 전도형 불순물을 이온주입하여 남아있는 단결정 반도체 필드박막 일부분에 매몰컬렉터와 연결되도록 컬렉터싱커 형성을 추가하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법에 있어서,

규소 기판에 국부적으로 제 1 전도형 불순물을 확산시키거나 이온주입하여 전도성 매몰컬렉터를 형성하는 제 1 단계와;

형성된 전도성 매몰컬렉터 위에 단결정 규소 필드박막을 예정된 두께로 증착하고 제 1 전도형 불순물을 확산시키거나 이온주입하여 매몰컬렉터와 연결되는 단결정 규소 컬렉터박막을 단결정 규소 필드박막에 부분적으로 형성하는 제 2 단계와;

순차적으로 패드 열산화규소박막과 제 1 마스킹 절연막과 마스킹 다결정 규소박막을 형성하고 예비 베이스전극영역과 컬렉터 오믹접촉영역을 함께 정의하는 감광막마스크를 이용하여 마스킹 다결정 규소박막을 식각하고 감광막마스크를 제거한 후 마스킹 다결정 규소박막을 마스크로 이용하여 제 1 마스킹 절연막과 패드 열산화규소막과 단결정 규소 필드박막 및 부분적으로 노출된 단결정규소컬렉터박막을 순차적으로 식각하는 제 3 단계와;

노출된 규소 박막 표면에 격리 열산화규소막을 형성하고 상기 결과물의 예비 베이스전극영역과 컬렉터 오믹접촉영역 깊이 이상의 두께를 갖는 격리 절연막을 도포하는 제 4 단계와;

마스킹 다결정 규소박막이 노출될 때까지 격리 절연막을 화학적 기계적 연마한 후 노출된 마스킹 다결정 규소박막을 마스크로 격리 절연막을 예정된 두께까지 계속적으로 식각하는 제 5 단계와;

상기 결과물의 예비 베이스전극영역과 컬렉터 오믹접촉영역 깊이 이상의 두께를 갖는 제 2 전도형 불순물이 확산이나 이온주입 혹은 인-시튜로 첨가된 베이스전극박막을 도포하는 제 6 단계와;

상기 제 1 마스킹 절연막 표면이 노출될 때까지 베이스전극박막과 마스킹 다결정 규소박막을 화학적 기계적 연마한 후 노출된 제 1 마스킹 절연막을 마스크로 베이스전극박막을 컬렉터박막 표면 높이까지 추가적으로 식각한 후 패드 열산화규소막과 제 1 마스킹 절연막을 제거하여 단결정규소 필드박막과 컬렉터박막을 노출시키는 제 7 단계와;

상기 결과물에 제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소 혹은 규소/제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소게르마늄 혹은 규소/제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소게르마늄/규소게르마늄/규소 혹은 규소/제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소게르마늄/규소게르마늄/규소 혹은 규소/제 2 전도형 혹은 규소/제 2 전도형 불순물이 첨가된 규소게르마늄/규소게르마늄/제 1 전도형 불순물이 첨가된 규소 등과 같은 구조의 이종접합 베이스박막을 불순물을 인-시튜로 첨가하면서 증착하는 제 8 단계와;

상기 제 2 마스킹 절연막을 증착하고 베이스전극 영역을 확정 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 2 마스킹 절연막을 식각한 후 감광막마스크를 제거하고 제 2 마스킹 절연막을 마스크로 노출된 부분의 베이스박막과 베이스전극박막을 식각하고 노출된 부분의 격리 열산화규소막도 제거하는 제 9 단계와;

상기 컬렉터박막 영역내에 에미터영역을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 2 마스킹 절연막을 식각하여 에미터영역내에 단결정 베이스전극박막이 노출되게 하는 제 10 단계와;

상기 제 1 전도형 불순물을 확산이나 이온주입 혹은 인-시튜로 첨가한 다결정박막 혹은 단결정규소박막위에 다결정박막이 있는 이중층 구조의 에미터박막을 형성하고 그 위에 제 3 마스킹 절연막을 도포한 후 에미터전극영역을 순차적으로 패터닝하여 제 2 마스킹 절연막을 노출시키는 제 11 단계와;

상기 제 3 마스킹 절연막과 에미터전극박막 측벽에 제 1 측벽절연막을 도포와 이방성 식각으로 형성한 후 추가적으로 식각하여 에미터박막위의 제 3 마스킹 절연막과 베이스전극 영역상에 남아있는 제 2 마스킹 절연막을 제거하는 제 12 단계와;

노출된 에미터박막과 베이스전극 영역의 베이스박막 위에만 금속실리사이드 박막을 형성하는 제 13 단계와;

제 1 필드 절연막을 도포하고 금속 접촉창을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 1 필드 절연막과 격리 절연막과 열산화규소막을 식각하여 실리사이드 박막과 컬렉터 오믹접촉영역내의 일부분 매몰컬렉터를 노출시키는 제 14 단계와;

배선용 금속박막을 증착하고 금속배선을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 상기 금속박막을 식각하는 제 15 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 14 항에 있어서, 상기 제 9 단계는

일부 남아있는 단결정 규소 필드박막을 완전히 제거하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 14 항에 있어서, 상기 제 10 단계는

제 2 마스킹 절연막을 마스크로 노출된 부분의 베이스박막과 베이스전극박막을 식각하고 노출됨 부분의 격리 열산화규소막 제거 후, 컬렉터싱커영역을 정의하는 감광막마스크를 이용하여 제 1 전도형 불순물을 이온주입하여 남아있는 단결정규소 필드박막 일부분에 매몰컬렉터와 연결되도록 규소 컬렉터싱커를 형성을 추거하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 14 항에 있어서, 상기 제 1 마스킹 절연막은

질화규소막이나 규소산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 14 항에 있어서, 상기 격리 절연막은

규소산화막이나 BPSG막을 사용하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 14 항에 있어서, 상기 전도성 베이스전극박막은

다결정 규소박막이나 다결정 규소게르마늄박막 혹은 다결정게르마늄박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 14 항에 있어서, 상기 제 2 마스킹 절연막은

규소산화막이나 질화규소막 혹은 규소산화막 위에 질화규소막으로 된 이중층 구조 박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 14 항에 있어서, 상기 에미터박막용 다결정박막은

다결정 규소박막이나 다결정 규소게르마늄 박막 혹은 다결정 규소게르마늄박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법

제 14 항에 있어서, 상기 베이스박막은

규소게르마늄박막내의 게르마늄 함량 분포가 일정하거나 에미터쪽으로부터 컬렉터쪽으로 선형적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 초자기정렬 쌍극자 트랜지스터 제조방법