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평면 매립형 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015076186
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평면 매립형 반도체 레이저 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 그 구조는 p-n-p 구조의 전류차단층(304, 305, 306)이 반절연성 전류 차단층(309)의 양 내측면에 함께 형성된 구조이고, 이러한 구조의 제조는 메사 식각을 행하여 활성층 영역을 정의하는 과정과, 그 활성층 영역으로의 전류주입을 위하여 활성층 주변에 p-n-p 구조의 전류 차단층을 재성장하는 과정과, p-n-p 구조의 전류 차단층 재성장 후 활성층 영역 위에 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장하는 과정과, 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장한 후 변조 속도를 높여주기 위해 반절연층을 재성장하는 과정으로 제조함으로써, 고성능의 광출력 특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 변조 특성을 현저히 높일 수 있으므로 고성능의 평면 매립형 반도체 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01) H01S 5/0422(2013.01)
출원번호/일자 1019980020411 (1998.06.02)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0279734-0000 (2000.11.03)
공개번호/일자 10-2000-0000664 (2000.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010302) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.06.02)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조호성 대한민국 부산광역시 동래구
2 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
3 이중기 대한민국 대전광역시 유성구
4 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 박철순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.06.02 수리 (Accepted) 1-1-1998-0064383-69
2 특허출원서
Patent Application		 1998.06.02 수리 (Accepted) 1-1-1998-0064381-78
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.06.02 수리 (Accepted) 1-1-1998-0064382-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2000.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2000-0000985-82
7 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0197594-90
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n형 InP 기판 위에 순차로 적층된 활성층과 p형 InP 크래드층이 메사식각되어 형성되고, 그 식각된 활성층의 양측면에 소정거리를 두고 상기 기판 위에 순차로 적층된 p형 InP 전류차단층, n형 InP 전류차단층 및 p형 오옴접촉층의 일부만이 매립되게 형성된 p-n-p 구조의 전류 차단층과;

상기 p-n-p 구조의 전류 차단층 양측면에 형성되고, 상기 일부만 식각된 부분에 형성되는 반절연성 InP 전류 차단층이 동일 기판상에 함께 형성되고,

상기 두 전류 차단층이 전극형성을 위한 개구가 형성된 절연막 위의 p 형 전극과 상기 기판 하부에 형성되는 n형 전극 사이에 형성되어, 활성층 측면을 통해 흐르는 누설전류를 감소시킴과 동시에 고속변조 특성을 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저 구조

2 2

반도체 기판 상에 형성된 활성층, 전류 차단층, 오옴 접촉층을 포함하여 이루어진 평면 매립형 반도체 제조 방법에 있어서,

메사 식각을 수행하여 활성층 영역을 정의하는 제 1 과정과;

상기 활성층 영역으로의 전류주입을 위하여 활성층 주변에 p-n-p 구조의 전류 차단층을 재성장하는 제 2 과정과;

전류 차단층 형성 후 상기 활성층 영역 위에 크래드 층과 오옴 접촉층을 재성장하는 제 3 과정과; 및

상기 크래드 층 및 오옴 접촉층 재성장 후 변조속도를 높여주기 위해 반절연성 전류 차단층을 재성장하는 제 4 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저의 제조방법

3 3

제 2 항에 있어서, 상기 제 1 과정은

n형 InP 반도체 기판 상에 이종접합 구조의 활성층과 p형 InP 크래드 층을 액상결정성장이나 유기금속화학증착 장비를 이용하여 성장시킨 후 절연막을 증착하고 사진식각 공정을 통해 메사 형성을 위한 스트라이프를 형성하는 제 1 단계와;

상기 절연막을 식각 마스크로 하여 건식 혹은 습식 식각 공정을 통해 메사 식각을 하는 제 2 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저의 제조방법

4 4

제 2 항에 있어서, 상기 제 2 과정은

상기 n형 InP 반도체 기판 상에 p형 InP 층 및 n형 InP 층의 재성장층으로 이루어진 전류 차단층을 재성장시키는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저의 제조방법

5 5

제 2 항에 있어서, 상기 제 3 과정은

절연막을 사진식각 공정을 통해 스트라이프를 형성하여 p-n-p 전류 차단층에 의해 생겨나는 기생정전용량을 제거하는 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저의 제조방법

6 6

제 2 항에 있어서, 상기 제 4 과정은

고속변조를 위해 절연막을 식각마스크로 하여 습식 혹은 건식 식각에 의해 p-n-p 전류 차단층 일부만 남기고 기판까지 식각한 후 반절연 InP 전류차단층을 재성장시키는 제 1 단계와;

식각용으로 사용된 절연막을 제거한 후 전극형성을 위한 절연막을 형성하고 사진식각 공정을 이용하여 활성층 바로 위쪽 부분만 개방한 후 p형 전극과 n형 전극을 증착시키는 제 2 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 평면 매립형 반도체 레이저의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.