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산소 플라즈마 처리에 의한 실리콘산화 에어로겔막의 표면 화학종 감소 방법

  • 기술번호 : KST2015076215
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 재료 고유의 고다공 특성으로 인해 저유전 특성을 가지는 SiO2 에어로겔(aerogel)은 다공 구조에서 기인한 많은 양의 유기물, 수산기물, 흡착 수분 등과 같은 내부 표면 화학종을 가지며, 재료 전체의 물성도 이러한 내부 화학종에 의존하게 된다. 이들 표면 화학종들은 유전 분극이 매우 큰 물질들로서 반도체 소자에서의 층간 저유전 박막으로 활용시 유전 특성이나 누설 전류 특성 및 소자의 내구성을 저하시키는 인자로 작용한다. 본 발명에서는 유도 결합형 플라즈마 (ICP; inductively coupled plasma)를 이용한 저온 O2 플라즈마 처리 방법으로 SiO2 에어로겔 박막의 표면 화학종을 감소시킴으로써, 종래의 진공하의 공정로에서 열처리하는 것에 비하여 소자 공정의 열적 안정성, 표면 화학종 감소의 효율성뿐만 아니라 저온 공정에 의한 경제적인 장점을 동시에 제공한다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/0234(2013.01) H01L 21/0234(2013.01)
출원번호/일자 1019970072834 (1997.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0053233 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백종태 대한민국 대전광역시 유성구
2 조문호 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 박형호 대한민국 서울특별시 강남구
4 현상훈 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226972-62
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226973-18
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1997-0226974-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0034942-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.02.28 발송처리중 (Ready to be dispatched) 9-5-2000-0034929-69
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0169286-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상에 SiO2 에어로겔(aerogel) 막을 형성하는 단계; 및

상기 SiO2 에어로겔 막 표면의 화학종을 감소시키기 위하여, 상기 SiO2 에어로겔 막을 산소 플라즈마 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 산소 플라즈마 처리에 의한 SiO2 에어로겔 막의 표면 화학종 감소 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 산소 플라즈마 처리 단계에서,

기판 온도는 0 ℃ 내지 300 ℃인 것을 특징으로 하는 산소 플라즈마 처리에 의한 SiO2 에어로겔 막의 표면 화학종 감소 방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 산소 플라즈마 처리 단계에서,

유도 결합형 플라즈마 (ICP; inductively coupled plasma) 방법으로 실시하는 산소 플라즈마 처리에 의한 SiO2 에어로겔 막의 표면 화학종 감소 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 SiO2 에어로겔막은,

초임계 건조법 또는 상압 건조법으로 형성하는 산소 플라즈마 처리에 의한 SiO2 에어로겔 막의 표면 화학종 감소 방법

5 5

제 2 항에 있어서,

상기 산소 플라즈마 처리 단계에서,

ICP 전력을 50 W 내지 500 W, 바이어스 전력을 0 mV 내지 50 mV로 하는 산소 플라즈마 처리에 의한 SiO2 에어로겔 막의 표면 화학종 감소 방법

6 6

제 2 항 또는 제 5 항에 있어서,

상기 산소 플라즈마 처리 단계는,

산소 압력이 mTorr 10 내지 100 mTorr 조건에서 실시하는 산소 플라즈마 처리에 의한 SiO2 에어로겔 막의 표면 화학종 감소 방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 산소 플라즈마 처리 단계는,

10 초 내지 30 분간 실시하는 산소 플라즈마 처리에 의한 SiO2 에어로겔 막의 표면 화학종 감소 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.